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Intel在芯片技术上达成重大突破

2003-11-07 00:00关键词:技术收藏点赞

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    根据San Jose Mercury News报导,Intel在芯片技术上有重大的突破,可望大幅改善半导体的速度与效能。

该公司将在晶体管的两个基本元素,也就是晶体管栅与闸电介质,采用不同于传统的材质。晶体管闸是控制晶体管电流的开关,目前主要采用硅;闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层,采用硅氧化物。这两部份如果改采某种金属材质与high-k介电材料,则将能够降低漏电,并可解决芯片未来可能面临的一些问题。在实验室中,这样的晶体管在特定的参数之下已经创下某些纪录。具金属闸与high-k介质的芯片可望在2007年采用45奈米制程技术生产。AMD也在进行类似的研究,该公司的金属闸是采用镍,而Intel拒绝透露该公司采用何种金属,仅强调选择正确的金属是这一突破的最重要因素;另外,Intel也拒绝透露真正的k值。 Intel是在本周举行的International Workshop on Gate Insulator中发表有关金属闸门的研究结果。
晶体管原先采用硅氧化物的主要缺点就是漏电,因此科学家致力研究如何用其它材质取而代之。

当半导体业进展到45奈米技术时,芯片将会包含十亿个晶体管,因此耗电量的问题特别受到关注。之前业者致力将硅氧化物绝缘层变得更薄,但变薄导致漏电的问题更形严重;而所谓的high-k是比较厚的材质,半导体业已经研究high-k长达十五年,而Intel也有一个团队从五年前开始专攻这个问题。Intel承认该公司并非唯一探讨利用high-k来解决漏电问题的厂商,不过该公司的上述成果是半导体业重大的突破,没有其它业者之前曾经宣示过。在90奈米制程之下,Intel的硅氧化物层为1.2奈米厚,未来在45奈米制程之下将加厚,可减少多倍的耗电量。

Intel相信透过先进技术的研发,半导体的摩尔定律可望在延续到下一个十年。
 


 
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