新障碍涌现，亚40纳米芯片制造或将受阻

   下一代光刻(NGL)面临的新障碍有可能威胁IC业向亚40纳米(sub-40-nm)芯片制造转移，代工设备提供商佳能公司(Canon)高层作出了这样一个警告。 

   当前的193纳米光学工具在65纳米节点后有可能就撞墙，这促发了在65纳米及以上节点对具有新分辨率工具的需求。沉浸蚀刻(Immersion lithography)一直被认为是当前193纳米工具之后最有希望的技术，但业内对该技术能否大批量加工出晶圆还存有争议。 

   电子投影光刻(EPL)缺乏客户群体，而甚超紫外(EUV)技术显然也碰到了新的未预料到的拦路石——光阻(photoresists)。EUV据称将到2009年投入32纳米节点生产。在EUV走向批量生产前，业界必须解决几大问题，其中最新的一个问题是“在40纳米以下备有化学放大阻抗的EUV图像令人无法接受”，光刻设备供应商佳能的科学家Phil Ware如是表示。 

   沉浸也暴露出一些理论缺陷。某些人士认为沉浸能缩放到22纳米节点。但据显示，先进的193纳米沉浸工具在水折射率为1.6时只能加工小至40纳米的晶圆。