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全球逾20座半导体新厂展开装机

2005-05-16 00:00关键词:半导体收藏点赞

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  半导体市调机构Strategic Marketing Associates(SMA)最新报告提出警告,2005年上半全球逾20座新建晶圆厂展开装机操作,未来陆续经过试产、验证、导入量产阶段后,恐导致2006年全球半导体产能过剩危机,其中尤以DRAM产业最为严重。

  SMA总裁George Burns指出,自2003年下半全球半导体景气确定回暖后,半导体厂商陆续提高资本支出,展开新一波兴建晶圆厂风潮,不仅带动2004年全球半导体设备市场高度增长,以兴建速度而言,目前这些新建晶圆厂均纷纷进入装机阶段,例如超微(AMD)德勒斯登12寸厂Fab 36、中芯北京12寸厂Fab 4、特许(Chartered)最新12寸厂Fab 7等。

  Burns表示,由于这些新建晶圆厂陆续将在2005年下半到2006年上半进入量产阶段,产能过剩危机浮现,恐怕会让部份厂商难以支撑,尤其是以市况变化迅速的DRAM厂商,来得最为严重。

  Burns指出,韩厂三星(Samsung)持续在景气低迷之际,斥资投入12寸厂建设,以先进制程导入内存生产,包括DRAM与闪存(Flash)等,均占有极高的成本优势,三星若实施降价策略,其动见观瞻均会影响全球市场甚钜。

  此外,亚太地区可说是DRAM产业大本营,也是晶圆代工产能重镇,光是2005年亚太地区半导体厂商资本支出,便占全球一半,台湾地区与韩国新一波DRAM产能即将陆续开出,尽管理论上厂商可延后投产进程,但实际上,抢得先机也是半导体产业成功之道,只要终端市场需求迟迟未现,产能过剩危机便无法解除。

  不过,台湾地区多数DRAM晶圆厂对于这样的说法提出质疑,认为就算2006年DRAM产业景气无法像2004年那样好,但也不至于太差,因为到2006年多数DRAM厂将开始采用90纳米制程,但到目前为止,除三星在90纳米制程良率比佳外,多数DRAM厂在90纳米良率上仍处于摸索期,这将使得DRAM总产出量因转换至90纳米制程而减少许多。

  此外,自2005年下半起陆续有8寸厂因产出成本效益不如12寸厂,被迫退出量产标准型DRAM,而到2006年更是8寸厂大撤退的时间点,如此一来这些8寸厂因无法量产512Mb DDRII而需退出所造成的总产能丧失,将使得2006年DRAM产业应不会过于悲观。

  至于晶圆代工方面,尽管2005年上半景气欠佳,除台积电外,其他晶圆代工厂商全数亏损,然因看好2010年前全球晶圆代工产值增长率,可望高于整体半导体产值增长率,计划投入晶圆代工市场的厂商家数有增无减。

  不过,包括台积电及联电均对于2006年景气持乐观看法,强调应比2005年来得好,对于2006年景气看法明显不悲观。此外,瑞萨科技社长兼CEO伊藤达12日则表示,目前半导体景气尚处于调整阶段,市况仍相当严峻,虽然夏季前可能会触底反弹,然反弹速度缓慢。


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