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联华电子芯片进入45纳米

2006-11-23 00:00关键词:华电收藏点赞

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  消息称中国台湾半导体厂商联华电子公司已经首次开始批量生产45纳米制程的静态RAM芯片。 

  联华电子公司是利用浸液光刻技术来提高芯片刻蚀过程中的准确度,从而将静态RAM芯片的生产工艺提高到45纳米水平上。 

  过去,在扫描镜片和硅面之间会留下一层空气,但是联华电子利用液体光刻提高了硅片表面蚀刻的精确度。 

  台湾联华电子公司主研发分公司的执行副总裁Shih Wei Sun说:“45纳米制程的实现是技术上的一项重大突破,因为它带来了新材料和新工艺上的同步进展。” 

  他说:“能够成为首批生产45纳米硅的厂商,我们感到非常兴奋。而且第一批试生产出来的硅产品已经被证实为合格的。” 

  他说:“联合电子公司将再接再励,将这项技术应用到更广的生产范围中去。” 

  新芯片需要一个要求相当严格的电源供应,联华电子用了相当长的一段时间来确保能级处于理想状态之下。 

  生产工艺提高到45纳米制程对于联华电子来说相当重要,因为工艺制程的进步可以实现在一块芯片上安装更多的元件。由于电子传输的距离缩短,因而芯片的运行速度也将因此而提高,这样整个芯片的能耗就可以降低。 

  新芯片按计划将于明年上市销售。 
 
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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