2007-01-17

其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。 　　

2007-01-11

西门子就是极典型的一个例子。在2006年中，顶着种种压力的西门子，瘦身的步伐却一直不曾停歇。...21天之后，一位名叫雷哈德·西克泽克的前西门子销售职员向检察官提供了长达数百页材料，指证西门子部分高管在诸多海外交易中使用非法手段，以钱买单。