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      来源:中国能源报2011-07-20

      cvd工艺中包括了所谓的“西门子法”、流化床法、粉末法和其它使用蒸馏硅烷或卤化硅混合物的方法。这些特殊材料可用于生长单晶,铸造多晶,以及其他方法生长多晶硅材料,从而生产太阳电池用硅片。...国内产品质量需提升据记者了解,semi发布光伏制造的硅原料新标准semi pv17-0611涉及到利用多种工艺方法生产的多晶硅材料详细规范,包括化学气相沉积(cvd)法、冶金还原法和其他工艺方法。

      来源:Solarbe2011-07-18

      该标准涉及到利用多种工艺方法生产的多晶硅材料详细规范,包括化学气相沉积(cvd)法、冶金还原法和其他工艺方法。...cvd工艺中包括了所谓的“西门子法”、流化床法、粉末法和其它使用蒸馏硅烷或卤化硅混合物的方法。这些特殊材料可用于生长单晶,铸造多晶,以及其他方法生长多晶硅材料,从而生产太阳电池用硅片。

      来源:OFweek2011-07-05

      1 改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢),氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd

      来源:中国证券报·中证网2011-03-03

      此次展会上,海南中航特玻材料有限公司展示了用于薄膜太阳能电池的高性能超白tco导电玻璃,tco导电玻璃是在3.2、4mm透明浮法超白玻璃上采用cvd技术镀氧化膜,经过激光刻线、镀膜、压膜、封装等深加工后即成为太阳能光伏电池

      来源:Solarbe.com2011-03-03

      日前,公司再推出用于生产高纯度多晶硅的下一代cvd(化学气相沉积)反应器sdr400。

      来源:美国商业资讯2010-12-14

      sdr400 cvd反应器拥有经过验证的年产超过400公吨多晶硅的能力,并巩固了gt solar在开发业界最节能反应器方面的领先地位。...该公司日前宣布,它已经获得了来自韩国多晶硅生产商oci company, ltd.针对其最新型sdrtm400 cvd反应器的4730万美元订单。

      来源:中国新能源网2010-10-13

      不过,其cvd装置及溅射装置等薄膜硅类太阳能电池用制造装置业务仍将继续。...gtsolar是全球cvd还原炉(reactor)和多晶硅铸锭炉(ingotfurnace)龙头厂家,在光伏产业上游的多晶硅领域应用广泛。

      来源:互联网2010-09-08

      此外,南玻a采用先进的cvd(化学气相沉积)工艺生产的tco导电玻璃,产品已达到国际先进水平。

      来源:SEMI2009-10-10

      此外,gtsolar也是少数可销售cvd还原炉的公司之一。”   虽然人们普遍认为光伏产业是“政策导向”的行业,但是,从纯粹的商业角度而言,光伏项目还没有到政府补贴就能够赢利的程度。

      来源:互联网2009-08-27

      这些技术涉及:光电,超声波,浮子式,cvd,mms,薄膜,电容,霍尔效应,传导性,微动力脉冲雷达等。除此之外gems还拥有传导率水平控制的流行品牌warrick。

      来源:网友评论2009-01-15

      项目位居北京公认的中央别墅区(cvd)核心位置,毗邻顺义国际学校、力迈国际学校,周边被金色河畔高尔夫广场、和睦家医院、日祥广场等完善配套环绕。目前一期工程已开发完成。   

      来源: 网友评论2009-01-12

      项目位居北京公认的中央别墅区(cvd)核心位置,毗邻顺义国际学校、力迈国际学校,周边被金色河畔高尔夫广场、和睦家医院、日祥广场等完善配套环绕。目前一期工程已开发完成。   

      来源:国际文传商讯2008-04-08

      协议内容涉及gt太阳能公司的先进技术——用于生产多晶硅的48硅棒化学气相沉积(cvd)反应器和四氯化硅(stc)加氢转换装置。多晶硅是全世界生产太阳能电池板所用的主要原材料。

      2004-12-28

      它扩展了ibm 90nm工艺中的低k绝缘,它基于专利的碳掺杂氧化材料,并采用applied materials公司的cvd工具沉淀而成。   65nm技术还采用了一种12.5埃等离子氮氧化门。

      2004-02-12

      应用材料公司的低k薄膜技术是基于化学汽相沉积(cvd),该薄膜的k值为3,具有2gpa的硬度和12gpa的模数,该公司薄膜有效k级系数为3.2。

      2003-04-25

      虽然据说silk比较低的k值更容易扩展,但它的热膨胀系数(cte)比cvd碳掺杂氧化物要高得多,造成绝缘材料从芯片上的铜互连上分离。分层一直是互连过孔与铜线连接点处最麻烦的问题。...ibm发言人表示,“我们一直在寻找其它的方法,如cvd材料或扩展fsg。silk也不是ibm唯一的方案。即使它很有前途,但这并不意味着我们不会寻找其它的解决方案。” 电子工程专辑

      2007-04-13

      nf3代替sf6(六氟化硫),被用于等离子cvd(化学气相沉积)装置中使用的室内洗涤用气体。2006年的市场规模比上年增加16.3%,达到500亿日元,供货量达到3850吨。

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