来源：美国商业资讯2008-07-16

sigen的技术用于生产“绝缘硅”(soi) 半导体晶圆，以用于高性能应用。sigen通过薄膜工程来开发创新性的衬底，为其客户开辟新的应用和市场。...sigen总裁兼首席执行官 francois henley说：“我们的完整光伏样品具有增强硅属性，从而显著提高了晶圆与电池处理能力。

来源：天风证券2008-06-25

考虑到新光硅业为公司增加利润贡献，预期公司2008-2009年的每股收益可达0.88元和1.20元。...项目公司规划总投资约12亿元，项目全部建成后的生产规模为十条非晶硅薄膜光电板生产线，年产能50mw。作为一只绝对价格仅5元出头的能源概念股，该股本周二巨量涨停，上涨空间已经被打开，后市可密切关注。　　

来源：宏源证券2008-06-25

值得注意的是，相比晶体硅电池，非晶硅薄膜电池更适合用于高温、荒漠地带使用和建设光伏电站。 　　该股近期自7元平台一路跌至4.46元最低价，短期最大跌幅接近40。技术上已经严重超跌。...目前，在国外建设1兆瓦光伏电站需要投资800万美元，国内运用晶体硅电池建设的1兆瓦光伏电站示范项目投资额达6500万元人民币，而光伏电站采用最新非晶硅薄膜电池，1兆瓦并网电站成本仅为2800万元。

来源：新升资讯2008-06-20

项目公司规划总投资约12亿元，项目全部建成后的生产规模为十条非晶硅薄膜光电板生产线，年产能50mw。...（非晶硅的原料是玻璃，多晶硅的原料是硅）高调进入新能源行业.公司全资建设的江西赣能居龙滩水电厂第二台机组已于07年7月顺利投产发电。至此，江西赣能居龙滩水电厂水电机组全部投产发电。

来源：广东百灵信2008-06-20

合作方华基光电是美国知名非晶硅光电设备提供商，而光伏电池作为太阳能光伏发电的核心部件，目前使用最广泛的是晶体硅电池，该类产品对晶体硅原料的依赖度高，而非晶硅薄膜太阳能电池对晶体硅原料的依赖度较低，制造成本较晶体硅电池有大幅度降低

来源：中电新闻网2008-03-13

该项目标志着首个商业化规模的薄膜太阳能电池投入使用，电池由铜铟硒化物(cigs)制成。“全球太阳能公司”的电池成本比众多使用光电子技术竞争者产品的成本低，因为它不使用硅。...硅是制造绝大多数太阳能电池和面板的主要原材料。由于对太阳能产品的需求增加，近年来硅的价格不断上涨。

来源：中国电力新闻网2008-03-11

2007年，成立了生产太阳能电池专用的硅（si）材料富山事业所，2008年2月与东京电子合作成立了从事薄膜太阳能电池制造装置开发的合营公司。...2005年开始批量生产串联式薄膜太阳能电池，同时，着手太阳能电池材料和制造装置等设备的生产。

来源：中国电力新闻网2008-02-03

新的超薄膜材料用于制造太阳能电池板能节省更多成本。该大学认为，新的改变薄膜pv材料的努力将彻底改变太阳能发电方式。 以往太阳能电池板用硅作活动pv材料，但进口成本昂贵成为该法取得成功的障碍。

2006-12-12

报告还指出： 压力传感器制造商正致力于生产溅镀薄膜压力传感器与蓝宝石硅压力传感器。 图像传感器制造商正在研发外形更小、分辨率更高，并能防水和防震的传感器。

2006-11-02

(5)沈阳仪器仪表工艺研究所开发了高灵敏度insb薄膜制备工艺，解决了高密度、高磁导率铁氧体基底磨抛工艺，in、sb单质蒸镀工艺，敏感磨层微米级减薄工艺以及提高芯片灵敏度的掺杂工艺，研制的insb薄膜完全能够满足制备高性能磁敏元件的需要

2006-09-13

当前薄膜太阳能电池板的能量回收期约是1年，晶体硅太阳能电池板则是2年。因此，太阳能电池板所发的电还可以再被用来制作新的太阳能电板，从而实现能量的增值效应，这是其它能源所不能比拟的。” 　　 　　

2006-08-30

此次采用普通半导体工艺，就将微型传感器集成到了硅底板上，因此该公司认为，将来还可集成处理传感器信号的电子线路，因此便于小型化，以及通过量产降低生产成本，实用潜力很大。...将热电图、微加热器、触媒3个组成要素集成到了尺寸约为1×2mm2的薄膜上，制成了尺寸为4×4mm2的传感器芯片。

2006-08-25

此次采用普通半导体工艺，就将微型传感器集成到了硅底板上，因此该公司认为，将来还可集成处理传感器信号的电子线路，因此便于小型化，以及通过量产降低生产成本，实用潜力很大。...将热电图、微加热器、触媒3个组成要素集成到了尺寸约为1×2mm2的薄膜上，制成了尺寸为4×4mm2的传感器芯片。 　　

2006-07-18

报告还指出： · 压力传感器制造商正致力于生产溅镀薄膜压力传感器与蓝宝石硅压力传感器。 · 图像传感器制造商正在研发外形更小、分辨率更高，并能防水和防震的传感器。

2004-05-19

millipede芯片采用硅微加工技术(silicon micromachining technique)，精确移动涂敷有聚合物薄膜的硅衬底，该衬底位于1024个独立寻址的20纳米读写头下部，读写头也由硅蚀刻而来

2006-12-28

其在玻璃等基板上长成厚度约1微米左右的非晶硅薄膜，就可以把光的能量有效吸收。 非晶硅薄膜电池比晶体硅电池薄100倍，这些薄膜可附着在廉价的基片介体如玻璃、活性塑料、或不锈钢等之上，变化极为多样。

来源：新华网2007-12-12

人们目前正在研究降低其成本，将硅从通常的晶片形式转化成覆盖在玻璃上的超薄薄膜形式。

2007-04-10

塑料晶体管，又称otft(有机薄膜晶体管)，它是塑料芯片技术的一种。据业内人士估计，当otft技术成熟时，该市场的份额将高达2260亿美元。...硅晶体之所以能够长期成为电子材料领域的佼佼者，是由于硅晶体具有其独特的优势，采用硅晶体制造的电子元器件和芯片在速度、精密性或导电性上占有得天独厚的地位，其电流能以每伏1000cm2/s的高速度在电路之间快速传输

2007-01-17

以光刻工艺为代表的硅半导体技术即将面临发展的极限。目前利用蛋白质制作平板显示器所用的薄膜晶体管和利用dna制作传感器等生物半导体技术异军突起。...由日本奈良尖端科学技术大学研究生院与松下电器产业共同组成的研究小组，提出了使用蛋白质制作驱动平板显示器的薄膜晶体管和非挥发性内存的技术。