来源：中证网2010-10-15

其中，年产6.5寸太阳能单晶硅片3,200万片，8寸太阳能多晶硅片5,800万片。

来源：中国网滨海高新2010-09-17

艾格太阳能是美国纳斯达克上市企业美国常青太阳能公司在武汉投资建设的，该公司所使用的专利技术来源于美国著名高校麻省理工学院的一项新的发明--直拉多晶硅片技术。

来源：证券之星2010-09-15

广东爱康太阳能科技有限公司是生产多晶硅电池片的一家光伏企业，该公司采购部有关人士在接受记者采访时介绍道，从6月份开始，原材料多晶硅片的价格一月比一月高。 　　

来源：财经网2010-09-14

全球排名第二、亚洲规模最大的太阳能多晶硅片生产企业赛维ldk太阳能股份有限公司（nyse，ldk）首席执行官彭小峰在参加达沃斯论坛期间接受《财经》记者访问时表示，等到国内的市场需求成长起来后，光伏产业的产能将得到很好的消化

来源：索比太阳能2010-09-08

156单晶硅片报价35元/片，156多晶硅片报价30元/片，125单晶硅片报价21元/片。

来源：环球光伏网2010-09-08

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司成立于2008年10月，位于徐州经济技术开发区内，目前注册资本7.2526亿元人民币，由香港协鑫光伏电力科技控股有限公司和保利协鑫（苏州）新能源有限公司投资设立，是一家专业从事太阳能级及电子级多晶硅片

来源：互联网2010-09-08

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司成立于2008年10月，位于徐州经济技术开发区内，目前注册资本7.2526亿元人民币，由香港协鑫光伏电力科技控股有限公司和保利协鑫（苏州）新能源有限公司投资设立，是一家专业从事太阳能级及电子级多晶硅片

来源：中国产经新闻2010-09-06

研究太阳能利用20多年的浙江能源研究所资深研究员陈哲艮说,以眼下技术最成熟、应用最普遍的晶体硅光伏为例,往上游看,有硅料提纯、单晶硅多晶硅片生产;往下游看,还有光伏电池组件封装、光伏电站集成发电,等等。

来源：互联网2010-09-01

不论是125毫米单晶硅片、156毫米多晶硅片、以及单晶硅和多晶硅电池的价格目前都已经创下2009年以来的新高。

来源：新华报业网2010-08-30

苏州协鑫光伏由全球领先的多晶硅片供应商保利协鑫集团投资建设，总投资超过10亿元，主要从事高纯多晶硅切片生产。

来源：中国投资咨询网2010-08-11

为此，江西将按照“突破上游、做大中游、集聚下游、完善配套”的原则，大力发展光伏产业，到2015年，力争高纯硅料产能达到4万吨，多晶硅片和单晶硅片产能达8吉瓦，太阳能电池及组件产能达15吉瓦，主营业务收入达到

来源：中国涂料在线2010-07-07

工业黏胶剂公司开发出了用于光伏产业的特殊黏胶剂：新型双组分环氧树脂delo-duopoxrm885、delo-duopoxrm864和delo-duopoxrm845特别适用于晶圆生产；有了它，硅锭在被切成极薄的晶圆单片或多晶硅片

来源：证券市场红周刊2010-06-28

随着保利协鑫300mw多晶硅片、孚日股份60mw薄膜太阳能等多家公司前期新建产能开始的集中释放，中国有色金属协会硅业分会认为“即使按照较为乐观的预测，完全消化这些产能仍需要3年时间。

来源：证券市场红周刊2010-06-28

随着保利协鑫300mw多晶硅片、孚日股份60mw薄膜太阳能等多家公司前期新建产能开始的集中释放,中国有色金属协会硅业分会认为“即使按照较为乐观的预测,完全消化这些产能仍需要3年时间。

来源：互联网2010-04-26

今年4月，全球最大的多晶硅片生产商江西赛维ldk的硅片2000顺利达产，赛维ldk成为全球首家产能跨入2000槛的光伏企业，同时也是中国多晶硅片生产企业率先在技术上实现的世界第一。　　

来源：互联网2010-04-09

赛维ldk一位高管分析，2009年4万亿的投资绝大部分进入基建行业，而今年国家压缩基建及房地产市场投资规模，而光伏市场又处于回暖上升阶段，如156×156多晶硅片目前已涨到3.45美元左右，较之三周前的

来源：互联网2010-03-12

产业园规划年产5gw多晶硅片与5gw电池片及组件。该项目建成后，将成为“产业配套能力最强、产业链最长、技术质量最可靠、运作成本最低、最具竞争力”的太阳能电站生产研发物流基地。

来源：互联网2010-03-09

杞县东磁新能源有限公司注册资本1000万元，经营范围以光伏材料的研发，单晶及多晶硅片、电池片、太阳能电池组件的生产和销售。

来源：互联网2010-02-26

近日，江西省省长吴新雄在第十一届人民代表大会第三次会议作政府工作报告时表示，2009年江西启动光伏、半导体照明等3个重大科技专项，基本形成了以多晶硅料、多晶硅片、太阳能电池及太阳能应用产品为主的光伏产业链和具有原创知识产权的

来源：互联网2010-02-21

这个创纪录的背接触组件总面积有13，379平方厘米，在发展阶段配置中，使用54个150×155毫米的多晶硅片。京瓷表示，单个硅片在发展阶段已达到了18.5%的转换效率。