来源：互联网2011-03-24

其中开关器件采用适合于小功率装置、具有开关速度快、工作频率高等特性的功率mosfet。开关管的栅极驱动信号来源于mr16单片机产生的spwm波经驱动电路后的信号。

来源：电子工程世界2011-03-23

20世纪60年代以后，电力电子器件经历了scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)、bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、 sith(静电感应晶闸管

来源：EEWORLD2011-03-01

恩智浦还供应各种超低功耗的微控制器、驱动器、mosfet以及其它元件，以满足太阳能技术发展的需求，而较竞争技术，太阳能技术可提供更高的性能和效率。

来源：广州市爱浦电子科技有限公司2011-01-18

在10mω负载的情况下，通往负载路径上的每mω电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：慕尼黑上海电子展2011-01-11

国际电力电子创新论坛”主要议题包括：功率转换：高效电源转换方案，新型开关电源设计、高频开关电源、矩阵变换器、直流变换电源技术、数字控制技术、pwm、pfc、软开关技术、有源钳位、同步整流、igbt集成功率模块、mosfet

来源：互联网2010-12-31

更高级的设计还可采用变压器磁通复位控制和高压端mosfet充电恢复开关，以进一步降低开关损耗。...通过这种创新组合可设计出效率极高的电源，同时只需使用更小的mosfet、更少的无源及分离元件以及成本更低的变压器。

来源：中国传动网2010-12-13

而现代ups普遍采用了脉宽调制技术和功率mosfet、igbt等现代电力电子器件，使用现代电力电子器件让电源的噪声得以降低，功率和可靠性增大。...八十年代末期和九十年代初期发展起来的以功率mosfet和igbt为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，标明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。

来源：互联网2010-06-13

新一代的igbt、igbt模块、mosfet和碳化硅二极管的使用，使效率的标杆正在不断被刷新。”他说。　　　　...光伏发电系统市场的增长使逆变器、控制器的供应商如合肥阳光电源，以及功率器件mosfet、igbt的主要供应商如英飞凌、飞兆、赛米控等半导体公司直接受益。

来源：互联网2010-06-08

为了易于理解，我们用在字母标记了每一颗mosfet开光管：s表示源极（source）、...图16描述的正是典型的pfc电路： 主动式pfc电路图 　　主动式pfc电路通常使用两个功率mosfet开光管。这些开光管一般都会安置在一次侧的散热片上。

2010-04-22

支持的重点包括以下方面：在芯片产业化方面，主要支持igbt、金属氧化物半导体场效应管（mosfet）、快恢复二极管（frd）、功率集成电路（pic）、igct等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装;

来源：互联网2010-04-15

三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（igbt、ipm、dipipmtm、hvigbt、mosfet等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频

来源：互联网2010-01-15

diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、mosfet、保护器件、针对特定功能的阵列，放大器和比较器，霍尔效应传感器, 以及涵盖led驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件

来源：互联网2009-09-28

内置的数字软启动和集成的功率mosfet控制浪涌电流，并减少了所需的外部元件数量。max17100从2.5v至6v输入可以产生高达18v的输出电压，效率高于85%。

来源：阿拉丁照明网2009-09-27

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。 　　

来源：互联网2009-09-27

功率mosfet，500v、to220封装的hexfet自1996年以来，其通态电阻以每年50%的速度下降。...功率场效应管（mosfet）由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，因而很容易地便可达到1mhz的开关工作频率而受到世人瞩目。

来源：互联网2009-09-27

源极s：连接内部mosfet功率管的源极，最初级控制电路的公共端和参考点。 　　开关频率选择端f：用于选择开关频率的输入端，该端与s端相连可得到130khz开关频率，这有助于减小高频变压器的体积。

来源：维库开发网2009-09-27

5.外部mosfet的连接 　　由于外部mosfet放在ic以外，设计工程师可以选择防雪崩器件。在某些情况下无需有源箝位网络就能够工作，例如低输出功率的应用。...在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合，设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。

来源：互联网2009-09-27

关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。...功率半导体器件从双极型器件（bpt、scr、gto）发展为mos型器件（功率mosfet、igbt、igct等），使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。 　　

来源：北极星电力新闻网2009-07-09

375v功率mosfet系列产品。

来源：北极星电力新闻网2009-01-16

mic23150内置的mosfet可提供达1.5 amps的电流输出，而小型的2mm x 2mm thin mlf(r)封装内部仅消耗23 micro amps的静态电流。