来源：慕尼黑上海电子展2011-01-11

国际电力电子创新论坛”主要议题包括：功率转换：高效电源转换方案，新型开关电源设计、高频开关电源、矩阵变换器、直流变换电源技术、数字控制技术、pwm、pfc、软开关技术、有源钳位、同步整流、igbt集成功率模块、mosfet

来源：互联网2010-12-31

更高级的设计还可采用变压器磁通复位控制和高压端mosfet充电恢复开关，以进一步降低开关损耗。...通过这种创新组合可设计出效率极高的电源，同时只需使用更小的mosfet、更少的无源及分离元件以及成本更低的变压器。

来源：中国传动网2010-12-13

而现代ups普遍采用了脉宽调制技术和功率mosfet、igbt等现代电力电子器件，使用现代电力电子器件让电源的噪声得以降低，功率和可靠性增大。...八十年代末期和九十年代初期发展起来的以功率mosfet和igbt为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，标明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。

来源：互联网2010-06-13

新一代的igbt、igbt模块、mosfet和碳化硅二极管的使用，使效率的标杆正在不断被刷新。”他说。　　　　...光伏发电系统市场的增长使逆变器、控制器的供应商如合肥阳光电源，以及功率器件mosfet、igbt的主要供应商如英飞凌、飞兆、赛米控等半导体公司直接受益。

来源：互联网2010-06-08

为了易于理解，我们用在字母标记了每一颗mosfet开光管：s表示源极（source）、...图16描述的正是典型的pfc电路： 主动式pfc电路图 　　主动式pfc电路通常使用两个功率mosfet开光管。这些开光管一般都会安置在一次侧的散热片上。

2010-04-22

支持的重点包括以下方面：在芯片产业化方面，主要支持igbt、金属氧化物半导体场效应管（mosfet）、快恢复二极管（frd）、功率集成电路（pic）、igct等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装;

来源：互联网2010-04-15

三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（igbt、ipm、dipipmtm、hvigbt、mosfet等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等产品，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电的应用中有助于您实现变频

来源：互联网2010-01-15

diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、mosfet、保护器件、针对特定功能的阵列，放大器和比较器，霍尔效应传感器, 以及涵盖led驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件

来源：互联网2009-09-28

内置的数字软启动和集成的功率mosfet控制浪涌电流，并减少了所需的外部元件数量。max17100从2.5v至6v输入可以产生高达18v的输出电压，效率高于85%。

来源：阿拉丁照明网2009-09-27

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。 　　

来源：互联网2009-09-27

功率mosfet，500v、to220封装的hexfet自1996年以来，其通态电阻以每年50%的速度下降。...功率场效应管（mosfet）由于单极性多子导电，显著地减小了开关时间，因而很容易地便可达到1mhz的开关工作频率而受到世人瞩目。

来源：互联网2009-09-27

源极s：连接内部mosfet功率管的源极，最初级控制电路的公共端和参考点。 　　开关频率选择端f：用于选择开关频率的输入端，该端与s端相连可得到130khz开关频率，这有助于减小高频变压器的体积。

来源：维库开发网2009-09-27

5.外部mosfet的连接 　　由于外部mosfet放在ic以外，设计工程师可以选择防雪崩器件。在某些情况下无需有源箝位网络就能够工作，例如低输出功率的应用。...在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合，设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。

来源：互联网2009-09-27

关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。...功率半导体器件从双极型器件（bpt、scr、gto）发展为mos型器件（功率mosfet、igbt、igct等），使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。 　　

来源：北极星电力新闻网2009-07-09

375v功率mosfet系列产品。

来源：北极星电力新闻网2009-01-16

mic23150内置的mosfet可提供达1.5 amps的电流输出，而小型的2mm x 2mm thin mlf(r)封装内部仅消耗23 micro amps的静态电流。

2006-10-31

另一类不含功率开关，需要外接功率mosfet，称dc/dc控制器。...boost升压方式也出现了采用mosfet代替二极管的同步boost的产品。在低压领域，增加效率的幅度很大，而且正在设法进一步消除mosfet的体二极管的导通及反向恢复问题。

2006-07-21

电源管理ic和mosfet是应用比较广泛的产品，在消费电子、工业控制、计算机、汽车电子中都大量使用。得益于近年来国内整机产量的增加，电源管理ic和mosfet需求量保持快速增长。...随着产品能效要求的提高以及开关频率的提高，功率ic、mosfet和 igbt将是增长最快的产品，功率ic将向功能更强、体积更小的方向发展， mosfet也将向导通电阻更低、耐压更高和外形更小的方向发展，

2005-12-06

在低压交流电动机的传动控制中，应用最多的功率器件有gto、gtr、igbt以及智能模块ipm(intelligent power module），后面二种集gtr的低饱和电压特性和mosfet的高频开关特性于一体是目前通用变频器中最广泛使用的主流功率器件

2005-07-29

而相对而言，电源管理产品的增长率却远远高于全行业平均水平，igbt、功率mosfet和电压调节器分别增长了4.4%、10%和18%。...据isuppli预计，从2002年到2007年，igbt、功率mosfet和电压调节器的销售额复合增长率均保持两位数增长。因此，未来几年，功率器件产品仍将是引领行业复苏的“先锋”。