来源:互联网2009-09-27
源极s:连接内部mosfet功率管的源极,最初级控制电路的公共端和参考点。 开关频率选择端f:用于选择开关频率的输入端,该端与s端相连可得到130khz开关频率,这有助于减小高频变压器的体积。
来源:维库开发网2009-09-27
5.外部mosfet的连接 由于外部mosfet放在ic以外,设计工程师可以选择防雪崩器件。在某些情况下无需有源箝位网络就能够工作,例如低输出功率的应用。...在电路中可以控制mosfet的栅极。由于它的雪崩性能与低漏感变压器的设计相结合,设计工程师不再需要其它电路所用的昂贵的箝位网络。
2005-01-25
esd在我们的日常生活中经常发生,研究表明,一般的分立器件如mosfet、jfet、ccd和精密稳压二极管所能承受的esd在0~2kv,低至2kv的esd脉冲就可损坏到所有的手持设备的敏感区域如显示屏、
2004-08-31
supply(交流-直流转换器)—1微米40伏、led/lcd driver(发光二极管/液晶显示驱动电路)—0.5微米12伏和40伏、ac compressor driver(交流压缩驱动电路)—mosfet
2004-04-23
在100纳米节点,mosfet内部的开关延迟为5皮秒,而rc反应时间为每1毫米就达30皮秒。这种6比1的差距将演变为100比1的差距。
2003-11-07
全球功率半导体市场现状 功率半导体所包括的内容,现在可以大致分成两大类: 1.分立功率器件:包括mosfet,igbt,晶闸管,晶体管,二极管等等。 2.功率模拟集成电路。 ...主要企业 在分立功率半导体市场领先的主要厂家有:fairchild,ir(mosfet第一),st,on semi,toshiba,mitsubishi,infineon,vishay,hitachi
2003-03-28
另外,新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷,简化驱动电路,同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑,高效率ups和dc-dc转换器中,成为首要的理想选择。
2003-03-22
集成了200v的mosfet、pwm控制器、故障保护电路。...linkswitch采用创新的拓扑结构,把700v的功率mosfet、pwm控制器,高压启动、限流和热关断电路集成在一个cmos芯片内,开关频率为42khz,简化了滤波器设计,集成了初级钳位、反馈、ic