来源：阿拉丁照明网2009-09-27

onsemi先推出了低压(100v)有源箝位的ncp1560控制芯片，随后又推出了高压应用的控制芯片ncp1280，它既解决了lcdtv等离子tv电源的要求，现在又直指下一代无风扇的pc机电源。

来源：互联网2009-09-27

漏极d：连接内部高压mosft功率管的漏极，通过内部开关高压电流源提供启动偏置电流。 　　...多功能端m：线路过压、欠压保护输入端；连接线电压前馈以降低最大占空比；电流极限外部设定端；远端开/关遥控及同步；将该端与s端短接将禁止芯片功能，使其工作在简单的3端模式下。 　　

来源：希赛2008-08-04

随着微电子技术的广泛应用，雷电对设备的破坏途径更加多样，破坏程度更加广泛和深入；它可以导致数据信号发生错乱，也可能导致芯片的直接损坏，使设备立即发生故障中断通信；还有一种可能，雷击产生高压浪涌仅使某些部件缓慢劣化而缩短使用寿命

2006-10-31

onsemi先推出了低压(100v)有源箝位的ncp1560控制芯片，随后又推出了高压应用的控制芯片ncp1280，它既解决了lcd tv等离子tv电源的要求，现在又直指下一代无风扇的pc机电源。

2006-08-21

中压大容量变频器采用有：gto（门极可关断晶闸管）、igct（集成门极换流晶闸管）、sgct（对称门极换流晶闸管）、iegt（注入增强栅晶体管）和高压igbt。...近几年来，国外各大公司纷纷推出以dsp（数字信号处理器）为基础的内核，配以电机控制所需的外围功能电路，集成在单一芯片内的称为dsp单片电机控制器（如adi的admc3××系列、ti的tm s320c240

2005-01-20

分析机构人士表示，利用8英寸晶圆片生广超级功率器件具有系统尺寸小、重量轻、耐高压、耐高温、开关损失小、易于设计、节省成本等优点，然而整体芯片设计、生产等方面都具有相当高的难度，开发周期相对较长。

2005-01-19

当前要解决的是高压器件的设计技术、高压场环技术和igbt的芯片封装与测试技术。　　4.加速开发大功率快速软恢复二极管。...突破高压器件设计、高压扩散技术、表面造型保护技术和全压接等关键技术。　　2.加速开发igct产品。

2004-05-19

电子式温控器采用mcu（微控制单元）芯片，因而智能化程度较高，控制准确，功能扩展较为容易。未来发展的主流趋势是分离式（高压与低压部分分开的结构）液晶显示电子温控器。...最具优势的是，由于高压部分即温控器主要发热部分可以安装在一个相对较大的环境，散热较好，从而更可靠，更稳定。

2003-03-22

linkswitch采用创新的拓扑结构，把700v的功率mosfet、pwm控制器，高压启动、限流和热关断电路集成在一个cmos芯片内，开关频率为42khz，简化了滤波器设计，集成了初级钳位、反馈、ic

来源：南京日报2007-09-10

和清华大学联合研发的多芯片【综合消息】更加平稳。 国电南自的高压变频设备，在主要技术指标上均已经优于一些国外公司的同类产品。...研发:高压变频国产化实现突破 【南京日报报道】 正是看准了高压变频设备会给企业带来巨大的经济效益，从2002年开始，国电南自与清华大学合作研制开发高压变频设备。

来源：中国电子报2007-04-24

他说：“2007电源管理芯片市场将继续走高，其比重在模拟ic以及总的半导体市场份额将继续进一步扩大。我们最看好lcd电视以及下一代pc80+电源市场，特别是大尺寸液晶背光驱动ic将朝着高压方向发展。