来源：材料导报、摩尔光伏2019-05-13

减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手。

来源：光伏测试网2019-03-28

减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手。

来源：经济日报2018-09-25

目前，中国电科已有多台12英寸离子注入机进入北京中芯国际生产线量产，量产工艺覆盖至28纳米，12英寸晶圆累计产量约300万片，200毫米cmp天津厂验证获得圆满成功。...据悉，随着品牌的发布，烁科电子装备有限公司也正式成立，将搭建装备研发与工艺验证平台，持续聚集行业领军人才、海内外优秀人才，不断突破集成电路装备核心技术，推动离子注入机、cmp等装备进入生产线批量应用。

来源：北京纳米能源与系统研究所2018-06-14

如在钛基材料的表面通过离子注入的方式引入银、锌等纳米颗粒，可由于在银、锌纳米颗粒的周围与钛基底发生微观的电化学反应而使得钛基底获得抗菌性能。

来源：摩尔光伏2018-05-28

目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光psg掺杂法由于其工艺过程简单，从图1可以看出从太阳电池常规产线升级成激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线

来源：科华恒盛2018-05-14

以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。

来源：PV兔子2018-02-27

首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，lpcvd沉积本征多晶硅使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂区域高温退火

来源：北极星电力网2017-12-27

重点研发12英寸及以上集成电路芯片用低能大束流离子注入机、化学机械抛光设备、激光消融设备、新一代电力电子器件制造用碳化硅高温离子注入机、高温金属有机化合物化学气相沉淀设备、八代以上面板用平板显示光刻机、

来源：北极星输配电网2017-12-27

重点研发12英寸及以上集成电路芯片用低能大束流离子注入机、化学机械抛光设备、激光消融设备、新一代电力电子器件制造用碳化硅高温离子注入机、高温金属有机化合物化学气相沉淀设备、八代以上面板用平板显示光刻机、

来源：PV兔子2017-10-20

毕竟绝大部分的晶硅电池不就是扩散就是离子注入，被掺杂的材料都是晶体硅，当然是同质结。这就跟说普通人是非基因改造人类差不多。当然这里主要是为了跟hit区分开来，所以强调同质。

来源：摩尔光伏2017-10-18

根据图1和2国际光伏技术路线图itrpv2015的预测，随着背接触（bc）、异质结（hit）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，n型单晶电池的效率优势会越来越明显，且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加...1997年j.scht等证实硼掺杂cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。

来源：能见2017-10-17

离子注入在p型电池中的应用。...整个团队从2009年回到上海，整个团队5人从美国回国，专注研发离子注入机在光伏领域的应用，这是我们的出发点也是我们的落脚点。下面是双离子源的设计。双离子源只在我们凯

来源：能见2017-10-17

刘正新：ibc的话，离子注入的话，要很多氧膜，这个成本你们是否算过?杨智：ipc的做下...实际上我们中来自己的规划，我们大概有三种，第一个n-pert，但是这块我们也因为是一个离子注入技术。下一步我们想做ibc，目前这些我们都做了一些布局。下面为大家详细介绍。

来源：中时电子报2017-09-05

半导体产业中常用的离子注入技术，虽均匀性较佳、结深精确可控但成本高昂，如何达到量产化，是目前最具挑战的关键议题。...并随着雷射、离子注入等技术的量产化，hjt太阳能电池将可望在2026年超过10%市场占有率，ibc背部接触式达12%。而传统的p型电池市占率将逐年降低。

来源：南墅石墨2017-06-12

第二是离子注入技术，它形成的pn结非常均匀。...钝化技术要达到这么高的效率水平，实际上有两个基本技术，一个是钝化技术，现在三氧化二铝钝化是非常好的，过去钝化使用ald技术，比较复杂的设备，也比较贵，现在出现了等用离子体三氧化二铝钝化，产业化比较便宜。

来源：中国电力报2017-04-20

王文静表示，运用离子注入法掺杂硼效果同样不理想硼原子比硅原子轻，注入到晶体硅后不宜将注入区打成非晶态，硅片损伤比较少，需在后续过程中以非常高的温度或很长的时间才能形成很好的结晶，消除缺陷。

来源：北极星太阳能光伏网2017-04-14

ibc结构图泰州中来光电科技有限公司自2016年成立以来，始终以创新为主，立足于技术的不断进步，创新将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高效率n型单晶双面太阳能电池

来源：北极星太阳能光伏网2017-04-13

该公司创新性地将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，产品实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高转化效率。

来源：中国化工报2017-03-27

据京润环保董事长肖东介绍，该技术针对气化灰水系统结垢污堵严重现象，将电化学处理技术和hpin氢离子注入技术两种专利技术组合应用于灰水处理工艺中。她还介绍，该技术在思路、技术和工艺三方面都有创新。...这种方法并不能从根本上解决结垢性离子在设备内部聚集问题，只能依靠外排水量维持结垢性离子浓度，既浪费资源，还影响系统长周期运行。

来源：泰州中来光电科技有限公司2017-03-20

晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者离子注入重掺杂形成