北极星
      北极星为您找到“NAND”相关结果93

      来源:21ic2013-07-30

      px02sm系列针对的是需要最高级别essd性能的应用,是东芝首款采用企业级多阶存储单元(emlc)nand技术打造的essd,其容量分为200、400、800gb和1.6tb和tops,也是东芝首款采用双端口

      来源:EEFOCUS2013-07-29

      网关配置512mb ddr3内存以及4gb nand flash,运行adroid2.3系统。

      来源:比特网2013-07-09

      zmcp 利用 2gb 基于 slc 的 nand 闪存和超级电容技术,在系统断电的情况下, 基于闪存内存的数据通过缓存保护功能可以保留长达数年之久。

      来源:ADI公司2013-05-28

      个通过fpga扩展)● 16通道模拟输入(2个ad7606)● 2个uart(1个rs232,1个rs485)● 128 mb 16位ddr2● 16 mb nor + 4 mb spi + 2 gb nand

      来源:dzsc2013-04-10

      考虑到系统需要大容量的数据存储,要求存储芯片体积小、功耗低,所以选用了三星公司的nand结构flash存储器件16mb的k9f2808来作为本系统的固态硬盘。

      来源:北极星电力软件网2013-01-22

      mcobject利用extremedbimds、磁盘dbms技术以及fusion-io公司的fusioniodrive2nand闪存等已上市的硬件进行测试,并在该白皮书中回答了上述问题。

      来源:电源在线网2012-02-21

      此外,xmc4000家族器件还配备一个快速外置总线接口,支持sdram或burst flash等同步标准,以及sram、nand flash和nor flash等异步标准。

      来源:中电新闻网2012-01-09

      配置始终为三芯片解决方案,因为微控制器需要外部sdram和nand闪存才能形成足够的存储器资源。

      来源:电源网2011-11-17

      东芝、瑞萨、尔必达各领风骚细部分析日本前3大半导体厂商,可发现其在多个领域都具备很强的竞争力,像是东芝在硬碟和nand领域的发展,始终走在竞争对手的前头。...相较于东芝在硬碟和nand领域的强势地位,尔必达则是在储存记忆体(dram)有很好的发展,2010年该公司仅次于三星与海力士,为全球第3大dram制造商。

      来源:工商时报2011-06-27

      至于三星抢食晶圆代工市场大饼,业界认为原因之一在于dram及nand市况不佳,三星需要在逻辑芯片市场找到新蓝海,原因之二是三星挟其为苹果代工 a4/a5应用处理器的特殊应用芯片(asic)生产优势,在45

      来源:电力软件网2011-06-15

      该处理器基本特性:独立的16kb指令cache和16kb数据cache、mmu、支持tft的lcd控制器、nand闪存控制器、3路uart、4路dma、4路带pwm的timer、i/o口、rtc、8路10

      来源:EEWORLD2011-04-20

      invensense mpu-3050三轴陀螺仪,紫色为德州仪器ps63020高效率单电感器、升降压转换器,支持4a开关以下是详细的硬件bom单sandisk-东芝sdin5c2:16 gb的mlc nand...playbook的主板,红色为尔必达b8064b2pb-8d-f 1gb dram和德州仪器omap4430 1ghz双核处理器,橙色为sandisk sdin5c2-16g 16gb nand闪存,黄色为德州仪器

      来源:中国电子报2011-02-21

      随着dram、nand、nor等主流存储器的工艺技术逐步逼近它们的极限尺寸,基于分子材料的pcm存储器开始获得业界的关注。今年4月,美光率先在市场上推出相变存储器omneop5q和omneop8p。...而 nand和nor不具备位修改特性。耐擦写次数高。pcm达到100万次,是一般闪存的10倍。与其他存储器相比,pcm的综合性能非常高。优化电表成本和可靠性pcm存储器的优势可以表现在智能电表设计中。

      来源:中国能源信息网2010-10-15

      从2009年夏季到2010年上半年,dram、nand闪存、积层陶瓷电容器(mlcc)以及液晶面板等多种电子部件陷入了严重的供应不足状态。

      来源:21世纪网2008-12-16

      三星电子预计近期将公布巨额季度亏损;世界第二大nand闪存生产商的东芝电子已宣布暂停两个工厂的芯片生产;而台湾半导体企业,特别是内存制造商,由于未能及时消化库存,包括力晶、茂德、南科、华亚科等多家企业在

      2006-12-08

      这些厂商在dram内存芯片、无线半导体和nand闪存芯片方面销售都非常强劲。   总的来说,全球半导体市场2006年的销售收入将达到2614亿美元,增长率为11.3%。...同时,三星电子通过销售比其它任何公司都多的dram内存芯片、sram芯片和nand闪存芯片巩固了市场排名第二的位置。   三星电子的销售收入达到了206亿美元,市场份额将提高到12.4%。

      2006-12-08

      而三星则凭借dram、sram和nand芯片的旺盛需求,进一步巩固了其亚军位置。三星今年的半导体营收额预计为206亿美元,同比增长12.4%。德仪为119亿美元,涨幅17.4%,排名第三。   

      2006-12-04

      该报告还认为,明年第四季基于nand的固态磁碟(solid-state)记忆体价格将下降到能够吸引电脑厂商的水准,并将开始取代pc和笔记型电脑中的硬碟。...三星和东芝(toshiba)在高密度nand固态磁碟储存方面名列前矛,预计将从这种变化中受益最大。这种转变也会推动spil等小型厂商的销售额成长。

      2006-11-23

      中芯国际现在已使用赛凡的每单元两比特技术制造出了它的2gb nand芯片的首个工程样品,预计该产品将在今年年底前将投入批量生产。

      2006-11-21

      由于12英寸工厂产能扩大,再加上nand闪存产能比例上升,ddr和ddr2价格上扬推动了存储市场收入的增长。   

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