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      来源:互联网2009-09-27

      碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。   ...关注点一:功率半导体器件性能   1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(super-junction)结构,故又称超结功率mosfet

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