来源：互联网2009-09-27

碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。 　　...关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。