来源：北极星太阳能光伏网（独家）2017-11-24

四、pecvd等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。...电池片工艺流程:制绒(intex)扩散(diff)后清洗(刻边/去psg)镀减反射膜(pecvd)丝网、烧结(printer)测试、分选(tester+sorter)包装(packing)一、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面

来源：北极星输配电网整理2017-11-24

鼓励进口的设备包括：hit太阳能电池用pecvd设备以及精密丝印设备；perc高效太阳能电池用pecvd设备；铜铟镓硒太阳能电池用线性蒸发源共蒸发设备等。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2017-11-23

连载文章欢迎查看更多太阳能电池片科普系列：发电原理篇、流程（电池片）篇、工艺流程(硅片)篇、制绒篇、扩散篇、刻蚀篇、(镀膜)pecvd篇、丝网印刷篇、烧结篇、组件封装篇、多晶硅铸锭篇原创：北极星（每天不定量更新

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2017-11-22

1、磷硅玻璃会使得电池片在空气中表面容易受潮，导致电流和功率的衰减；2、死层增加了发射区电子的复合，以致少子寿命的降低，进而降低了voc和isc；3、磷硅玻璃会使得pecvd后产生色差。...连载文章欢迎查看更多太阳能电池片科普系列：发电原理篇、流程（电池片）篇、工艺流程(硅片)篇、制绒篇、扩散篇、刻蚀篇、(镀膜)pecvd篇、丝网印刷篇、烧结篇、组件封装篇、多晶硅铸锭篇原创：北极星（每天不定量更新

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2017-11-20

连载文章欢迎查看更多太阳能电池片科普系列：发电原理篇、流程（电池片）篇、工艺流程(硅片)篇、制绒篇、扩散篇、刻蚀篇、(镀膜)pecvd篇、丝网印刷篇、烧结篇、组件封装篇、多晶硅铸锭篇原创：北极星（每天不定量更新

来源：摩尔光伏2017-11-14

采用ct管式pecvd炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂h元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅太阳能电池两面形成电路或电极。

来源：材料人2017-11-08

通过pecvd法制备石墨烯包覆铝箔的合成与表征 (a) 所合成ga的实物照片;(b) ga的拉曼谱;(c) ga中c1s的xps;(d) ga的截面透射电镜图;(e) ga的元素分布图;(f)所制多层石墨烯的低倍透射电镜图

来源：无锡先导智能装备股份有限公司2017-11-03

设备已经陆续交付客户并投入生产，n型双面电池的量产效率稳定保持在22%以上，效率绝对值较产线提高0.4%以上，量产极限产能可达5900片/小时，其中tma化学源耗量低于1mg/片，tma年耗量较等离子增强的化学气相沉积（pecvd

来源：无锡德鑫太阳能电力有限公司2017-11-03

（二）德鑫电力公司为高新技术企业，原为尚德电力的p4工厂，企业管理层和核心员工较为稳定，生产能力900mw／年，主要设备配置为清洗机20台、扩散炉20台、刻饰机20台、管式pecvd机4台、丝网印刷机20

来源：摩尔光伏2017-11-02

参考文献王晓泉,汪雷,席珍强,等.pecvd淀积氮化...再经过管式pecvd制作氮化硅减反射膜,pecvd过程中分别采用传统双层膜工艺和本文设计的三层膜工艺各做一组实验,采用sentech的se400测试监控氮化硅膜的折射率以及厚度。

来源：锂电大数据2017-10-30

cvd法可以满足规模化制备高质量石墨烯的要求，但成本较高，工艺复杂。

来源：新材料在线2017-10-23

3d石墨烯上的镍钴硫化物核/壳结构用于超级电容器镍钴硫化物的三维核/壳结构是在石墨烯上使用一系列水热步骤进行纳米工程而生成的，而用于生长核壳结构的石墨烯是在应用于超级电容器的cvd上生长的。

来源：PV兔子2017-10-20

比如很多主流的pecvd和ald的工艺都不能使用了。而且一般而言，低温制备的钙钛矿电池的热稳定性都比较差。

来源：无锡先导智能装备股份有限公司2017-10-19

管式原子层沉积镀膜系统高质量超薄aldai203钝化膜全自动、高产能、高稳定性超低反应源耗量提升perc电池光电转换效率近1%最低的设备运营成本和综合成本后羿系列-板式化学气相沉积/原子层沉积镀膜系统板式空间cvd

来源：能见2017-10-17

我们在技术路线的选择，主要的一些设备的选择上，我们有几个重点，一个是在清洗上，量产比较成熟的rca这个清晰，pcvd，归的层级上，我们还是选择了pcvd，我们认为这个工业化，量产上相对来说比较成熟一点。

来源：石墨烯资讯2017-10-12

降低石墨烯的cvd合成温度可以极好地将石墨烯整合到各种应用中，如将cvd生长的石墨烯直接集成到电子器件中。该团队解释说，在硅基电子学中，组件可以承受石墨烯一体化的上限温度约为400c。...在常规的cvd技术条件下，石墨烯生长发生在1000c附近，并不适合直接集成到电子器件中。

来源：无锡德鑫太阳能电力有限公司2017-09-05

经相关部门批准后方可开展经营活动）;（二）德鑫电力公司为高新技术企业，原为尚德电力的p4工厂，企业管理层和核心员工较为稳定，生产能力900mw／年，主要设备配置为清洗机20台、扩散炉20台、刻蚀机20台、管式pecvd

来源：齐鲁壹点2017-09-01

自上而下法是通过剥离石墨材料来制备石墨烯层，如微机械剥离法、氧化石墨还原法、碳纳米管轴向切割法、液相分离法;而自下而上法是通过碳原子的重新排列来合成石墨烯，如化学气相沉积法(cvd)、外延生长法、有机合成法等

来源：能源新闻网2017-08-14

meyerburger公司采用pecvd法制备alox膜的沉积设备，报道了一种新的正表面氮化硅膜与背面氮化硅与alox膜集成在一起的3in1设备，alox工艺腔4对微波源，2对朝上镀膜，2对朝下镀膜，sin

来源：新材料在线2017-08-14

自上而下法是通过剥离石墨材料来制备石墨烯层，如微机械剥离法、氧化石墨还原法、碳纳米管轴向切割法、液相分离法;而自下而上法是通过碳原子的重新排列来合成石墨烯，如化学气相沉积法(cvd)、外延生长法、有机合成法等