2006-12-28

非晶硅薄膜电池比晶体硅电池薄100倍，这些薄膜可附着在廉价的基片介体如玻璃、活性塑料、或不锈钢等之上，变化极为多样。...由于国际市场“硅”原料的普遍短缺，非晶硅光电薄膜产业的研发成长，在转换效率上，已逐渐追上多晶硅太阳能电池，发电成本又仅为三分之一。

来源：北京商报2007-09-20

据了解，晶体硅为生产太阳能光伏电池的主要原料，其利用太阳能的效率是衡量技术水平的主要指标。 　　光伏产品可以利用太阳能进行发电，但是由于其发电成本远高于煤电和风电，导致光伏产品国内的销售市场很小。

2007-04-10

硅晶体之所以能够长期成为电子材料领域的佼佼者，是由于硅晶体具有其独特的优势，采用硅晶体制造的电子元器件和芯片在速度、精密性或导电性上占有得天独厚的地位，其电流能以每伏1000cm2/s的高速度在电路之间快速传输

2007-04-03

由于器件继续向65 nm 甚至更小的尺寸发展，电路性能的改善需通过应用特殊工艺层改变晶体管特性来实现。然而，这些层的引入带来了更多的复杂计算，增加了测量器件速度、功耗、面积等参数的复杂程度。...ibm是synopsys在验证领域的长期客户和合作伙伴，双方间的合作已经为我们共同的客户提供了重要的功能，即与硅相关的解决方案。” hercules pvs 的新功能现在已经开始提供。

2007-01-30

实际上，在此之前分析家一致认为45纳米技术将不在根植于当年的技术标准，例如硅芯片平台。而英特尔和ibm日前发布的新技术打消了这种顾虑。...　　蓝色巨人ibm日前宣布，已经成功开发出最新晶体管技术，该技术将使得45纳米芯片生产成为可能，实际上两天之前芯片巨头英特尔刚刚发布45纳米技术处理器。 　　

2007-01-29

现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。...与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。

2007-01-17

他们采用了sige的应变硅技术和sin薄层，使所开发的nmos晶体管的驱动电流为1.259ma/μm，pmos晶体管的驱动电流为0.735ma/μm。...其在硅110面形成pmos晶体管，在硅100晶面上形成nmos管。由于110面的空穴迁移率高，从而使pmos管的驱动电流提高了35%。