北极星
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      2007-01-17

      其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。   ...该存储器配合离子导电的聚合式制动可用于平板显示。   以光刻工艺为代表的硅半导体技术即将面临发展的极限。目前利用蛋白质制作平板显示所用的薄膜晶体管和利用dna制作传感器等生物半导体技术异军突起。

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