2004-12-28

论文称，它具有0.5na～50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pa/μm，gdil低于10 pa/μm。”

2007-01-17

其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。