来源：北极星太阳能光伏网2012-02-22

（bjt），功率场效应管（mos－fet），绝缘栅晶体管（igbt）和可关断晶闸管（gto）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet，在大容量系统中一般均采用igbt模块，而在高压特大容量（1000kva

来源：电源在线网2012-02-21

该控制器灵活多用，通过驱动外接的场效应晶体管 (fet)，可构成降压、升压及升降压的驱动器电路。在升压模式下，它可以准确地驱动多达二十个高电流的led。

来源：国际新能源网2012-02-14

氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。...因为氧化铪的介电常数(电位移与产生电位移的电场密度之间的比率)比较高，而材料的介电常数越高，其存储电荷的能力越强，也就是说电容越大，有些公司目前正用氧化铪替代晶体管中的二氧化硅。

来源：北极星太阳能光伏网2012-02-13

氧化铪是一种电绝缘体，能被用于制造光学涂层、电容器以及晶体管等。...因为氧化铪的介电常数（电位移与产生电位移的电场密度之间的比率）比较高，而材料的介电常数越高，其存储电荷的能力越强，也就是说电容越大，有些公司目前正用氧化铪替代晶体管中的二氧化硅。

来源：C114中国通信网2012-02-09

被认为在晶体管方面具有广泛的应用前景，这种特性对于制造需要快速转换信号的晶体管非常重要，也可以大幅提高计算机的速度。

来源：电子工程世界2012-02-08

假设每年的晶体管出货量是20亿颗，而上一代晶体管被当今的先进晶体管所取代，电源设备每年将节省电能4-5万亿瓦时，这个数字相当于两座500mw（兆瓦）核电站的年发电量。采用智能系统更为重要。

来源：自动化网2012-02-08

国产微机保护已取代晶体管、集成电路等保护，占据了主导地位。...杨奇逊认为，微机保护是靠软件实现保护功能，较之传统的晶体管、集成电路型保护，具有自检功能强、保护功能集成度高、动作特性稳定、可靠性高、维护量小等显著优点，代表了继电保护技术的发展方向。

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-09

（2）最大输入－输出电压差该指标表征在保证直流稳压电源正常工作条件下，所允许的最大输入－输出之间的电压差值，其值主要取决于直流稳压电源内部调整晶体管的耐压指标。

来源：中国传动网2012-01-04

开关电源是利用现代电力电子技术，采用功率半导体器件作为开关，通过控制开关晶体管开通和关断的时间比率（占空比），调整输出电压，维持输出稳定的一种电源。

来源：百方网2011-12-22

开关电源是利用现代电力电子技术，采用功率半导体器件作为开关，通过控制开关晶体管开通和关断的时间比率(占空比)，调整输出电压，维持输出稳定的一种电源。

来源：电子发烧友2011-12-22

较典型的是高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管 (mosfets)，其在同步整流器中取代了传统设计中使用的二极管，使压降由0.4v降到0.2v; 功率mosfet制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由

来源：solarF阳光网2011-12-20

量子点已经应用于晶体管、激光、led或者太阳能电池中。量子点太阳能电池需要时间进行紧凑的微小晶体压层的步骤，这通常被认为是一种昂贵的技术。于此相反，太阳能油漆应用和准备起来就像传统油漆一样方便。

来源：百方网2011-12-19

国产微机保护已取代晶体管、集成电路等保护，占据了主导地位。...杨奇逊认为，微机保护是靠软件实现保护功能，较之传统的晶体管、集成电路型保护，具有自检功能强、保护功能集成度高、动作特性稳定、可靠性高、维护量小等显着优点，代表了继电保护技术的发展方向。

来源：电气中国2011-12-08

国产微机保护已取代晶体管、集成电路等保护，占据了主导地位。...杨奇逊认为，微机保护是靠软件实现保护功能，较之传统的晶体管、集成电路型保护，具有自检功能强、保护功能集成度高、动作特性稳定、可靠性高、维护量小等显著优点，代表了继电保护技术的发展方向。

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-15

应用材料公司和维利安公司的结合将使我们成为晶体管技术的行业领导者，能够与客户携手合作，为更小、更快的节能移动设备寻找多种创新解决方案。...应用材料董事会主席兼首席执行官麦克斯普林特表示，全世界移动设备的迅猛发展对更高性能和更长待机时间的要求越来越强烈，而这正驱使着半导体产业加速技术的创新，尤其是专注在以复杂晶体管为核心的下一代芯片上。

来源：新电子2011-09-26

由igbt的构造图可看出，igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组合而成。

来源：精实新闻2011-09-23

全新产品原以用于生产pa(功率放大器)的hbt磊晶为最大宗，并小量生产phemt(主要用于生产高速switchic)，不过随着砷化镓组件应用面越加广泛，全新也加速投入包括bihemt(异质接面双载子暨假晶高速电子移动晶体管

来源：飞象网2011-09-20

iddq测试）的回读供电或供电/dmm组合其它应用包括：-有源/无源器件测试，电压/电流/电阻测量-便携电子器件的电池工作验证-分析可植入式医疗器件（如起搏器等）-分析低漏电电子器件/电路特性（正向/反向、晶体管增益