来源：能见Eknower2020-01-13

据招商证券报告，hit电池结构是以n型单晶硅片作衬底，正反面个三层薄膜（本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco）。

来源：光伏每日头条2020-01-10

（4）高稳定性hit电池的光照稳定性好，理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现staebler-wronski效应，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；hit

来源：《能源评论》2020-01-09

相比于传统的太阳能电池，hit由于采取了单晶硅衬底和非晶硅薄膜异质结的结构，同时具备了单晶硅与非晶硅电池的优点，具体包括效率提升潜力高、降成本空间大、更高的双面率、可有效降低热损失、更低的光致衰减、制备工艺简单等六大优点

来源：恒益智慧能源2020-01-09

hit电池指晶体硅异质结太阳电池，也称hdt：是采用hit结构的硅太阳能电池，所谓hit结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后

来源：大众证券报2020-01-08

事件驱动 上市公司竞相布局晶体硅异质结太阳电池(hit/hdt)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点

来源：华尔街见闻2020-01-08

该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。招商证券最近的研报中提到，hit电池具有高效率、低衰减、低温度系数、高双面率等诸多优势，优势显著存在溢价。

来源：金融界2020-01-07

该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。...相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶硅衬底前后表面实现了良好的钝化，因而其表面钝化更趋完善。

来源：电新产业研究2020-01-07

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，导出电流。

来源：光伏测试网2019-12-20

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的

来源：电新产业研究2019-12-16

n型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜。...hit电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。

来源：SOLARZOOM光储亿家2019-12-16

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的

来源：摩尔光伏 中信证券2019-12-04

与perc工艺的区别在于：1）非晶硅薄膜沉积环节，使用pecvd或rpd沉积本征氢化非晶硅层和p型/n型氢化非晶硅层；2）镀膜环节使用pvd沉积tco导电膜；3）印刷电极方面需使用低温银浆；4）烧结过程需控制低温烧结

来源：OFweek太阳能光伏2019-11-14

晶体硅异质结太阳电池（hit/hdt）在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，该工艺与普通的bsf电池技术相比，少了扩散和蚀刻2个步骤；与当红的perc工艺相比，少了4个步骤。...但其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化，对设备、工艺、环境、操作水平等要求非常高。需要从非晶硅界面钝化、tco光吸收损失、金属化电阻损耗三方面进行努力，对应的工艺流程为cvd、pvd、丝印三个步骤。

来源：SOLARZOOM光储亿家2019-11-07

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的

来源：大众日报2019-10-29

2010年，济宁40mw太阳能电站成功并网，成为同期亚洲最大的非晶硅薄膜光伏电站；力诺、皇明、桑乐等行业领军企业和海尔、天丰、黄金等一大批太阳能品牌，在中亚、东南亚等享有盛誉，成为我省开发光热资源的闪亮名片

来源：电新产业研究2019-10-15

2.hjt降本的理论空间较大，具体进展需要再跟踪：hjt电池生产只有四步，清洗制绒、pecvd镀本征和掺杂非晶硅薄膜、pvd镀金属导电膜、丝印烧结。...理论上分析，hjt电池生产流程简单，制备过程只有清洗制绒、pecvd镀本征和掺杂非晶硅薄膜、pvd镀金属导电膜、丝印烧结等步骤（较现行路线少了3-4个步骤），未来hjt生产也将更智能化，长期降本可能主要集中在耗材

来源：光伏测试网2019-09-18

该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层p型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场；在两侧非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。

来源：电新产业研究2019-07-29

晶体硅异质结太阳电池（hit/hdt：heterojunctionwith intrinsic thinfilm）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低

来源：中信建投证券2019-07-24

与perc工艺的区别在于：1）非晶硅薄膜沉积环节，使用pecvd或rpd沉积本征氢化非晶硅层和p型/n型氢化非晶硅层；2）镀膜环节使用pvd沉积tco导电膜；3）印刷电极方面需使用低温银浆；4）烧结过程需控制低温烧结

来源：摩尔光伏2019-06-18

为了保持高的转换效率同时实现降低成本，利用非晶硅薄膜/单晶硅衬底异质结结构的hit电池引起了人们极大的兴趣，其结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池的优点，如稳定性好，转换效率高，成本低廉，低温工艺等。