来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：中国传动网2010-12-13

sic高功率、高压器...2、碳化硅功率器件sic（碳化硅）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，在电力电子方面也是很重要的，可制作出性能更加优异的高温(300℃～500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

来源：互联网2009-09-27

碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高（可达600℃）、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。 　　...关注点一：功率半导体器件性能 　　1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。