北极星
      北极星为您找到“SiC Mosfet”相关结果43

      来源:《Photovoltaics International》2012-05-09

      在对硅基mosfet等新材料的要求方面,sic技术在碳化物领域发生了显著的改变,使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

      来源:中国传动网2010-12-13

      sic高功率、高压器...2、碳化硅功率器件sic(碳化硅)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,在电力电子方面也是很重要的,可制作出性能更加优异的高温(300℃~500℃)、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

      来源:互联网2009-09-27

      碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。   ...关注点一:功率半导体器件性能   1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(super-junction)结构,故又称超结功率mosfet

      相关搜索