2006-08-25

这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例，阐述它的发展趋势： 　 主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化；开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。 变频器主电路的拓扑结构方面。

2006-08-21

这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例，从技术上看在以下几个方面会进一步得到发展： （1）主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化，开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。

2006-08-03

这里仅以量大面广的交直交变频器为例，阐述它的发展趋势： 　　 　 　　 主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化；开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。 　　

2003-12-31

这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例，阐述它的发展趋势： 　　 　　 主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化；开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。 　　 　　

2003-04-21

这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例，阐述它的发展趋势： 　　1、主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化，开关频率不断提高，开关损耗进一步降低。 　　

2007-01-23

场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得igbt器件成为了这些大功率工业自动化应用的理想功率开关器件，因此能否有效地降低igbt开关元件的功耗也就成为实现中国十一五规划能源消耗总目标的关键之一