来源：电子产品世界2010-10-28

传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：中国传动网2010-10-14

发展重点 传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

来源：亮报2009-09-28

目前，中压电网配用的继电保护装置、电流和电压互感器等，多数基于铁芯式、电磁感应原理，属于非线性测量保护元件。而微机式继保装置、光电传感器、电子式传感器等或用得不多，或水平不高。

2006-10-27

⑤无速度传感器的矢量控制、磁通控制和直接转矩控制等技术的应用将趋于成熟。 　　⑥全面实现数字化和自动化：参数自设定技术；过程自优化技术；故障自诊断技术。 　　...以前的高压变频器，由可控硅整流，可控硅逆变等器件构成，缺点很多，谐波大，对电网和电机都有影响。近年来，发展起来的一些新型器件将改变这一现状，如igbt、igct、sgct等等。

2006-08-21

传感器 　(1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器

2006-08-03

;新型传感器：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器,汽车专用压力、加速度传感器,环保用微化学传感器等。

2005-07-21

：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器，汽车专用压力、加速度传感器，环保用微化学传感器等。

2005-05-10

它一般选用硅压力测压传感器将测量到的压力转换成电信号，再经放大电路放大和补偿电路补偿，最后以4～20ma或0～10ma电流方式输出。 　　...电容传感器由绝缘电极和装有测量介质的圆柱形金属容器组成。当料位上升时，因非导电物料的介电常数明显小于空气的介电常数，所以电容量随着物料高度的变化而变化。

2004-12-31

、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺； 　　③新型传感器：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器，汽车专用压力、加速度传感器，环保用微化学传感器等。 　　

2004-08-17

图1给出了集成智能传感器的组成框图。 　　集成智能传感器采用微机械加工技术和大规模集成电路工艺技术，利用硅作为基本材料来制作敏感元件、信号调制电路，以及微处理器单元，并把它们集成在一块芯片上构成。

2006-12-20

：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器，汽车专用压力、加速度传感器，环保用微化学传感器等。 　　

2007-01-17

以光刻工艺为代表的硅半导体技术即将面临发展的极限。目前利用蛋白质制作平板显示器所用的薄膜晶体管和利用dna制作传感器等生物半导体技术异军突起。...据该论文介绍，使用钻石与使用硅的现有dna传感器相比，能够将栅绝缘膜做得更薄，从而提高检测灵敏度。 　　多核芯片普遍问世 　　多核的出现为降低器件功耗开拓了一条新路。