来源:中国低压电器网2010-10-14
软磁复合材料中的磁性粒子可以是纯铁、镍、钴金属、铁镍合金、铁镍钼合金、铁铝合金、铁基非晶合金、铁基纳米晶合金和软磁铁氧体经过粉碎后制成的粉末。...缺点是由于磁粒子之间被非磁性物体隔开,磁性阻断,磁导率现在一般都在100以内,最近报导通过纳米技术和其他措施,已开发出磁导率超过1000的软磁复合材料,最大可达6000。
2005-06-17
例如手机和pda等便携产品,独立的芯片往往以堆栈的形式一层压一层,中间利用电路板隔开,并且以导线链接。那么堆栈设计的芯片为何能够提升运算速度?...根据国际半导体技术路线图计划,到今年年底这个数字将会下降到65纳米,到2010年为45纳米,2013年为32纳米,2016年达到22纳米。 幸运的是,解决性能提升问题的方法并不是只有一条。
2003-10-10
东芝指出,与采取同样设计规范的manhattan结构相比,基于x architecture的芯片的导线总长度减少14%,线路减少27%。...东芝利用x architecture架构,通过五层金属层、90纳米工艺制造出一块试验性芯片。这种芯片的连接方式是对角连接,而传统的方式是直角或“manhattan”结构。
2006-12-20
相关链接 0.25微米、0.18微米、90纳米等是指硅片晶体管连接导线的宽度,越细标志工艺越高,单位面积,所含的芯片数量也越多。90纳米就是0.09微米。...他认为,即使开放0.18微米,也不会对大陆中芯国际有什么影响,因为后者这一领域技术能力已达90纳米。