来源：《中国电子报》2007-03-14

英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，soi材料，宽禁带化合物半导体材料，新型互连材料等材料；努力掌握6-8英寸集成电路设备的制造技术；力争实现12英寸65纳米激光步进光刻机、大角度倾斜大剂量离子注入机、金属氧化物化学气相沉积设备