2006-09-05

其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。...离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　

2005-03-30

专家认为，该产品采用高能氧离子注入技术制作二氧化硅隔离层，将检测电路与基底隔开，避免了高温环境下检测电路与基底之间的漏电问题，解决了常规硅压力传感器120℃失效的技术难题；该产品将被测高温流体与硅敏感元件相隔离

2006-12-27

，标志着我国集成电路装备技术直接跨越了5个技术代，达到了与国际同步的“8英寸100纳米”装备水平。...　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100纳米刻蚀机与离子注入机设备攻关项目顺利通过国家验收

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。...目前我国集成电路芯片制造业缺乏成熟的工艺制造技术。