来源：每经网2013-06-04

晶盛机电表示，相比于传统的中子照射区熔硅单晶棒，采用气相掺杂技术拉制的区熔硅单晶棒解决了中子辐照单晶硅生产周期长、成本高、及晶体中照损伤的不利因素，可降低生产成本20%~30%，在igbt大功率器件领域具有非常好的应用前景

来源：电源网2013-05-24

逆变器的工作原理1.全控型逆变器工作原理：为通常使用的单相输出的全桥逆变主电路，，交流元件采用igbt管q11、q12、q13、q14。并由pwm脉宽调制控制igbt管的导通或截止。...5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。

来源：北极星电力新闻网2013-04-23

包括igbt整流高效大功率模组化不间断电源（ups）产业化项目，国家火炬计划和重点产品计划的启动都对科华恒盛在研发端资金的投入提出严峻的挑战。...坚定企业产研信念，持续加大研发力度，截至2012年12月，科华恒盛共通过国家级、省部级各类科研项目审批十余项，其中高频环节逆变技术在节能降耗与新能源变换装置中的应用项目获得国家补助资金共计1300万元，igbt

来源：中国知识产权报2013-04-19

巨大需求催生市场 国内申请快速增长记者在采访中了解到，igbt的应用领域十分宽广。在汽车领域，igbt已经替代达林顿管成为汽车点火器的首选器件。...目前igbt已广泛应用于工业控制、消费电子、计算机、汽车电子等领域。尤其在新能源和智能电网的应用中，igbt作为变频器、逆变器的核心部件，影响着电网的整体运行，未来市场需求十分巨大。

来源：中国电力电子产业网2013-04-09

mkp386m可承受2500v/s的高能脉冲和1850a的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换igbt引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(emi)的重要来源。...vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率igbt模块。缓冲电容器的esr低至1.5m，容量公差5 %，引线间隔的每毫米自感为0.7nh，rms电流高达20a。

来源：金升阳2013-04-03

公司研发的ac/dc、dc/dc模块电源、igbt驱动器、隔离变送器、led驱动电源等系列产品，通过ul、ce、en60601、rohs等认证，广泛应用于工控、物联网、医疗、仪器仪表、智能家居等行业。

来源：输配电设备网2013-03-29

(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。...门极可关断晶闸管)，经过bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)，发展到今天的igbt

来源：北极星电力网2013-03-08

高压变频调速技术，采用关键部件绝缘栅极型功率管(igbt)以及特大功率高压变频调速技术、曲叶型系列离心风机技术。1.1.3余热余压余气利用余热发电关键技术和设备。

来源：中国能源报2013-02-28

而且在逆变器核心部件(igbt和mppt)方面暂时都还不能实现国产化。相信未来3-5年是国产逆变器在稳定性和转换效率等方面实现较大突破的重要阶段。谢锋称。

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

这时传统的功率半导体器件如scr和gtr（巨型晶体管或称为电力晶体管）等因速度慢、功耗大而不再适用，以功率mos和igbt为代表的新一代功率半导体器件因此应运而生。...和晶闸管类器件（thyristors）组成，其中常见的功率晶体管包括以vdmos（verticaldouble-diffusionmosfet）为代表的功率mos器件（powermosfets）、绝缘栅双极晶体管igbt

来源：21CN2013-02-21

长城电工增发预案显示，此次募集资金将用于智能化新领域中高压开关设备产业化、智能低压电器技术升级及产业化、基于igbt器件的变频与逆变装置产业化和长城电工技术研发中心4建设项目。

来源：北极星电力网2013-01-25

在各级教育研究机构中，科华恒盛高端信息设备用ups采用科华自主专利无主从自适应并联技术，配以先进的igbt功率器件和性能优越的spwm逆变器，高速传导，稳定电压，同时在智能化多模式电池管理技术和丰富的电源管理软件设计辅助的基础上

来源：国金证券2013-01-16

核心原材料阶段性供给不足,将限制有效产能,同时成为价格上涨催化剂:另一个可能导致行业供给无法快速释放的因素在于核心元器件如igbt等供应紧张。这在上一轮周期(2009年)时同样发生过。

来源：中证网2013-01-05

强化产品在其领域的领先地位，在单晶硅生长炉上不断与国内著名的半导体企业有研硅股进行大尺寸半导体级全自动单晶硅生长炉的合作，8英寸区熔硅单晶炉技术上与天津市环欧半导体材料有限公司合作研究，该设备不但可以应用于igbt

来源：周末金证券2012-12-17

2011年5月，公司抛出定向增发预案，拟募集最多11亿资金投资igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目以及绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目。

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-12-13

为保证产能最大化及效率最高高端的生产工艺确保产品性能，如：pcb浸胶工艺其中元器件的选材也是选用世界知名的供应商，德国的igbt模块、日本的mcu 模块，日本的继电器，德国的dc端子等，元器件的质量和性能是逆变器产品的可靠与稳定的很好保证

来源：世纪新能源网2012-12-03

逆变模块由igbt，散热器，母排，直流支撑电容组成。...逆变器本身效率主要由功率开关器件如igbt和磁性器件如变压器和电抗器来决定的，功率器件的选择性较少，使用各种方案对系统效率的影响也较少。

来源：科华恒盛2012-11-27

其中fr-uk系列ups汇集科华恒盛公司二十多年的研发经验，采用科华恒盛自主专利无主从自适应并联技术，配以先进的igbt功率器件、性能优越的spwm逆变器、智能化多模式电池管理技术和丰富的电源管理软件等设计的高性能正弦波不间断电源

来源：北极星电力网2012-11-15

我司会在通讯及电力行业有着重推介，具体有门装制冷机、户外柜制冷机、新型过滤风扇及过滤器、板换式气气热交换器等新产品、igbt环境控制方案等。

来源：电源网2012-11-07

对igbt或igct功率器件来说，其pn结不得超过125℃，封装外壳为85℃。有研究表明，元器件温度波动超过20℃，其失效率会增大8倍。...为此，应多选用微功耗器件，如低耗损型igbt，并在电路设计中尽量减少发热元器件的数量，同时要优化器件的开关频率以减少发热量;(3) 采用适当的散热方式与用适当的冷却方法，降低环境温度，加快散热速度。