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      北极星为您找到“等离子体沉积”相关结果170

      来源:《光伏产业观察》杂志2013-04-19

      同时,该中心推出了一系列拥有自主知识产权和创新的原子层沉积设备产品,包括热型设备、等离子体增强型设备和适于光伏产业应用的批量型设备,实现了国产原子层沉积设备在光伏产业首创应用的新局面,为下一代高效晶硅太阳能电池产业的发展提供了国产化设备支撑

      来源:生意社2012-12-27

      主要工艺是:选择纯度较好的产业硅(即冶金硅)进行水平区熔单向凝固成硅锭,往除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后,进行粗粉碎与清洗,在等离子体融解炉中往除硼杂质,再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭,往除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分

      来源:SEMI2012-12-17

      薄膜硅先进性得益于各种创新技术,例如用于非晶和微晶硅吸收层最优化的等离子体增强化学气相沉积技术(pecvd)设备和工艺,以及使用更环保更有效的清洁技术的氟气(f2)的kai反应腔,该技术清洁反应腔的速率更高

      来源:光纤在线2012-12-07

      据公告显示,ipx主营业务为设计、制造和销售基于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)制造技术的光学元件。2011年度,ipx实现营收3154.24万丹麦克朗,净亏损5153.29万丹麦克朗。

      来源:欧瑞康2012-11-16

      这种先进性得益于各种创新技术,例如用于非晶和微晶硅吸收层最优化的等离子体增强化学气相沉积技术(pecvd)设备和工艺,以及使用更环保更有效的清洁技术的氟气(f2)的kai反应腔,该技术清洁反应腔的速率更高

      来源:北极星电力网2012-10-10

      )、氢化物气相外延(hvpe)等外延装备制造关键技术,高强度气体放电灯用大功 率电子镇流器新技术、感应耦合等离子体(icp)刻蚀机等芯片、封装 关键设备制造技术,大尺寸高效低成本 led 外延生长、芯片制备产业化技术

      来源:solarF阳光网2012-09-29

      创新包括:优化工具、非晶体硅、多晶硅吸收层等离子体化学气相沉积、使用环境高度环保f2更高效的清洁kai反应器。只需要释放更少量的f2就可以达到更高的腐蚀率。

      来源:科技部2012-09-19

      ,包括边界等离子体输运及偏滤器行为、边界等离子体原子分子过程、壁材料等离子体辐照效应和高热负荷效应、氢同位素滞留与输运、壁表面刻蚀和再沉积原位诊断技术、托卡马克实验等。

      来源:解放日报2012-08-22

      2010年,公司研制出lpcvd(低压化学气相沉积)设备和pecvd(等离子体增强型化学气相沉积)设备,其设备产能比进口设备更高,而售价只有进口一流设备的一半。...经过两年努力,生产led芯片的关键设备mocvd(金属氧化物化学气相沉积设备)也即将送往客户。他们又一次填补了国家空白。

      来源:ne21.com2012-07-05

      ,包括热型设备、等离子体增强型设备和适于光伏产业应用的批量型设备,实现了国产原子层沉积设备在光伏产业首创应用的新局面,为下一代高效晶硅太阳能电池产业的发展提供了国产化设备支撑。...目前,微电子仪器与设备创新团队以技术优势,吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展原子层技术合作,强强联合,加快了国内开发原子层沉积设备的研制和在嘉兴市的产业化,推出了一系列的拥有自主知识产权和创新的原子层沉积设备产品

      来源:solarzoom2012-06-11

      因为大功率可以增大硅烷的分解率,这样氢等离子体的数量相对增多,硅表面以及非晶硅体内的悬挂键得到很好的饱和,少子寿命提高。...工作压强从较低值开始上升时,参与反应的气体增加,到达基片表面的反应产物增多,同时压强适当提高,反应室内的等离子体密度增大,反应气体中活性粒子增多,从而得到高沉积速率、高质量的非晶硅薄膜。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-30

      等离子体加工过程中另一方面的问题是等离子体损伤,主要指离子轰击及光子辐照,除了会降低沉积膜的质量外,还对晶体si衬底带来损伤。...这种差异的原因往往是隐性的,解决这一问题需要精通等离子体的专业知识。2.等离子体中电子及离子辐照对沉积薄膜结构及电子学特性损伤。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-24

      其化学反应方程式为利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强cvd。电子和离子的密度达109~1012个/cm3,平均电子能量可达1~10ev。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-05-23

      直到六十年代人们才发现等离子体可用于去除残留碳化物,并可成功地用于等离子体去胶工艺中,随后很快发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。...2.干法刻蚀干法刻蚀是把材料的被刻蚀表面暴露于等离子体中,等离子体通过光刻胶中开出的窗口与材料发生物理或化学的反应,从而去掉暴露的材料。干法刻蚀又可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀。

      来源:中国能源报2012-05-23

      据理想能源设备(上海)有限公司展台工作人员介绍,由该公司研发制造的国内首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备,在去年成功下线后已实现产业化,并因其质优价廉特性而赢得国内企业追捧

      来源:ne21.com2012-05-15

      太阳能电池就是以tco薄膜为衬底生长的,用等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)生长的太阳能电池层也称为有效层。有效层包括两个pin串联的双结结构。...薄膜沉积后,采用激光设备对沉积膜进行高速、精确地划刻。随着技术的发展,激光作为一个功能强大的生产性工具,已广泛应用于制造、表面处理和材料加工领域。

      来源:中国钢材网2012-05-10

      目前,多晶硅薄膜常用的制备方法有等离子体增强化学气相沉积,热丝化学气相沉积,准分子激光晶化,固相晶化,快速热处理等。现有研究采用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-04-27

      对于这种情况,可以下调等离子体的功率,但是同时也会降低等离子体的稳定性。...pecvd法制备a-si:h薄膜利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-si:h制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场,气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2012-04-25

      采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜,理论模拟了双层氮化硅的光学参数,实际测试情况和理论模拟吻合良好。...1引言等离子增强气相沉积(pecvd)制备氢化非晶氮化硅(sinx:h)已经成为工业太阳电池的标准工艺中一道工序。

      来源:北极星太阳能光伏网2012-04-19

      在用等离子体形成的氮化硅膜的折射率与致密性没有必然的联系,并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用lpcvd所形成的氮化硅膜是有差异的。...1.2pecvd过程中的微观过程(1)气体分子与等离子体中的电子发生碰撞,产生出活性基团和离子。其中,形成离子的几率要低得多,因为分子离化过程所需的能量较高。(2)活性基团可以直接扩散到衬底表面。

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