来源：盖世汽车网2020-01-15

现有tsc电池大多基于钙钛矿、有机物、非晶硅和染料，但是，材料刚性或着色透明性在很大程度上限制其应用。

来源：能见Eknower2020-01-13

据招商证券报告，hit电池结构是以n型单晶硅片作衬底，正反面个三层薄膜（本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco）。...该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。

来源：光伏每日头条2020-01-10

（4）高稳定性hit电池的光照稳定性好，理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现staebler-wronski效应，从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；hit

来源：《能源评论》2020-01-09

相比于传统的太阳能电池，hit由于采取了单晶硅衬底和非晶硅薄膜异质结的结构，同时具备了单晶硅与非晶硅电池的优点，具体包括效率提升潜力高、降成本空间大、更高的双面率、可有效降低热损失、更低的光致衰减、制备工艺简单等六大优点

来源：恒益智慧能源2020-01-09

hit电池指晶体硅异质结太阳电池，也称hdt：是采用hit结构的硅太阳能电池，所谓hit结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后

来源：大众证券报2020-01-08

事件驱动 上市公司竞相布局晶体硅异质结太阳电池(hit/hdt)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点...行业动态 2020是hit产业化元年相对于常规晶硅电池以及目前主流的p型perc电池，hit电池具备效率高、无光衰、温度系数低、弱光响应高等诸多优势。

来源：华尔街见闻2020-01-08

该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。招商证券最近的研报中提到，hit电池具有高效率、低衰减、低温度系数、高双面率等诸多优势，优势显著存在溢价。...历史上光伏行业每一轮的技术变革，都引发了产品和价格的快速下降，也深刻地改变了该环节的竞争格局，如多晶硅环节的冷氢化、硅片环节的单晶替代多晶、电池片环节的perc技术。

来源：金融界2020-01-07

相对于传统晶硅技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶硅衬底前后表面实现了良好的钝化，因而其表面钝化更趋完善。...该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

来源：电新产业研究2020-01-07

hit电池以 n 型单晶硅片作衬底，正反面依次沉积本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层tco，再通过丝网印刷制作正负电极，导出电流。...非晶硅沉积：主要使用pecvd设备进行非晶硅薄膜沉积，薄膜厚度为纳米级，且内部结构较为复杂，半导体级工艺，技术摸索集中在这个环节。

来源：光伏测试网2019-12-30

微信公众号“光伏测试网”id：testpv）hwcvd vs. pecvdhwcvd vs. pecvd一次8片；可实现 in、ip、双面tco的不破真空连续镀膜自行设计、国内公司生产热丝加工新热丝做的本征非晶硅的钝化效果明显优于对比热丝

来源：光伏建筑2019-12-25

2、杭州东站新时代的钱江潮 应用类型 建筑屋面和风雨棚一体电池类型 单晶硅、非晶硅薄膜电池建成时间 2013年6月安装面积 7.9万㎡装机容量 10mwp年发电量 10gwh杭州东站是全国九大省会城市巨型车站建设工程的

来源：中玻网2019-12-25

根据材料类型，全球光伏建筑玻璃市场细分为非晶硅、晶体硅、染料敏化太阳能电池（dssc）和有机光伏电池（opv）。其中，晶体硅预计将在预测期内引领全球市场。

来源：光伏测试网2019-12-20

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的

来源：太阳能杂志2019-12-16

目前光伏组件的类别主要有：晶体硅( 包括单晶硅、多晶硅) 光伏组件和薄膜( 包括非晶硅、硒化铜铟、碲化镉) 光伏组件。当前市场生产和使用的光伏组件大多数是晶体硅光伏组件，其比例约占87%。

来源：电新产业研究2019-12-16

n型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜。...hit电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。

来源：SOLARZOOM光储亿家2019-12-16

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的

来源：摩尔光伏 中信证券2019-12-04

与perc工艺的区别在于：1）非晶硅薄膜沉积环节，使用pecvd或rpd沉积本征氢化非晶硅层和p型/n型氢化非晶硅层；2）镀膜环节使用pvd沉积tco导电膜；3）印刷电极方面需使用低温银浆；4）烧结过程需控制低温烧结

来源：OFweek太阳能光伏2019-11-14

但其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化，对设备、工艺、环境、操作水平等要求非常高。需要从非晶硅界面钝化、tco光吸收损失、金属化电阻损耗三方面进行努力，对应的工艺流程为cvd、pvd、丝印三个步骤。

来源：光伏們2019-11-14

异质结的基本原理与非晶硅的晶化率、电导率和吸收率相关。...如果把非晶硅的晶化率提高一点，电导率会大幅提高，而自吸收则下降，前者可以减少ito横向电导的压力，后者可以使前表面非晶硅层做厚一点，实现更好的钝化效果。为什么异质结电池要向纳米晶硅和微晶硅转变呢？

来源：SOLARZOOM光储亿家2019-11-07

在不受201关税制约的组件中，有1.6gw组件采用了非晶硅（薄膜）技术，因而被排除在征税行列，另有0.9gw晶硅技术组件由于原产国是墨西哥、印度尼西亚、土耳其、印度等发展中国家，以及产地为墨西哥和马来西亚的