2007-01-30

ibm表示，他此次发布的技术和英特尔大同小异，都使用了high k和金属门技术，他们可以降低电子泄漏，并且保证芯片运行于更低的温度，另外还可以通过降低功耗来提高笔记本产品的待机时间。 　　

2007-01-23

例如，三菱电机公司将带来其第五代高性能、小型化、低损耗智能功率模块(ipm)，它的主要特点有：采用第5代新沟槽型igbt(绝缘栅双极晶体管)硅片，绝缘电压最高达2500v，其功耗比第一代产品降低70%，

2007-01-17

intel公司利用65纳米工艺还制作出了pentium4的9ghz的整数运算器，与上一代产品相比，增加了一倍工作频率，降低了1/2的功耗并缩短了延迟时间。 　　...美国intel公司开发出低功耗的65纳米工艺。其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。

2007-01-05

在高通以前的平台上一个手机产品至少需要3个芯片，包括一个基带芯片、一个射频芯片和一个功耗控制芯片。现在高通推单芯片解决方案就把这几种功能融合到了一个芯片(soc)上。 　　...这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。 　　“rs1012射频芯片是广晟微电子用了16个月的时间，先后投片二次才完成设计、优化和实现商用量产的。”