来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-26

图三腐蚀后的少子寿命经过重掺杂再腐蚀，硅片的少子寿命显著提高。对于高的方块电阻，需要相应地调整sinx镀膜工艺以达到更好的钝化效果。...总结：hf/hno3体系腐蚀的腐蚀影响因素众多;发射极经过腐蚀，可以优化杂质浓度分布，提高少子寿命，降低饱和电流;先重掺杂再均匀腐蚀制备电池，相比一次扩散的电池效率提高～0.18%。(作者曾飞)

来源：北极星太阳能光伏网（独家）2012-04-26

亦即通过导入i型a-si层，能够大幅度提高voc,见下图.图三暗状态时的i-v特性比较化学钝化和hit太阳能光伏电池构造的寿命关系采用-pcd法测定hit太阳能光伏电池的少子寿命。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-23

常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺20或25年（一般组件出厂有质保书，保证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质，对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心，从而使硅片的少子寿命降低

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-19

图3气体流量对效率的影响四、结语可以看出，管式pecvd设备的工艺气体流量的改变，会直接改变膜厚、折射率、吸光系数、少子寿命、转换效率，而其变化不是单调上升或单调下降的，通过该技术分析，可以避免在工艺中为了获得膜均匀而忽略了流量是和电池转换效

来源：北极星太阳能光伏2012-04-19

各小方锭的整体平均少子寿命均大于4us，按少子寿命2us进行检测划线，硅锭得率62.7%。所得准单晶硅片制作的电池片转换效率最高达17.9%，与同样生产线的常规单晶硅片相当。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-17

一、调整方向1、提高少子寿命2、提高短波吸收此图为载流子收集几率和产生几率与电池片位置的关系，结深越钱，短波光电转换效率越高。

来源：北极星太阳能光伏网2012-04-16

n型电池与p型电池对比针对n、p两种不同掺杂类型的电池，围绕硅锭均匀性、少子寿命、发射区制备、背场制备、表面钝化、钝化技术及电池效率做了对比分析。

来源：21世纪新能源网2012-04-05

1000s的工艺专利并研究确立了n型和p型高少子寿命晶体生长的工艺机理。...获得了中国发明专利和美国发明专利，解决了p型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减，并研究确立了p型晶硅太阳能电池光衰机理；首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现n型和p型硅单晶棒中心和表皮少子寿命均

来源：北极星太阳能光伏网2012-03-22

鑫多晶s1+同时具有碳、氧及金属杂质浓度低、少子寿命高、掺杂分布均匀等特点。

来源：互联网2012-02-13

以下是bpsolar准单晶铸锭流程图和准单晶硅片少子寿命均匀性图示。

来源：21世纪新能源网2011-12-30

寒冬里，晶龙既定项目的建设并未止步不前：邢台宁通公司大直径、高少子寿命太阳能级硅单晶棒产业化项目，一期工程如期完成，正在进行试生产;石家庄晶龙半导体晶体生长设备制造产业化及年产1800万片大直径、低氧碳超薄硅片项目

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

中盟中晶光伏科技有限公司拥有一支雄厚的技术研发团队，有各种先进的国内外自动化生产和检测设备，包括单晶硅生长炉、切断机、少子寿命测试仪等。

来源：Solarbe2011-10-13

在提高硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约

来源：solarzoom2011-09-16

由于衬底的高少子寿命和背面金属接触点处的高复合，背面接触点设计成2mm的大间距和2001lm的接触孔径。接触点间距需大于少子扩散长度以减小复合。...tca氧化产生极低的界面态密度，同时还能排除金属杂质和减少表面层错，从而能保持衬底原有的少子寿命。

来源：21IC电子网2011-08-10

测试设备用：sentech生产se-400adv的激光偏振仪；semilab生产的wt-2000的少子寿命测试仪。

来源：光能杂志2011-06-21

凤凰光伏准单晶硅片的基本参数导电类型：p 尺寸：156mm×156mm电阻：0.5—3ω.cm 少子寿命：≥2μs厚度：200μm±20/180μm±20 ttv：≤30μm弯曲度：≤30μm 线痕：≤

来源：搜狐IT2011-06-15

n型单晶硅及其硅处理技术参数达到国际先进水平，是目前国内唯一能达到少子寿命超1000微秒的太阳能级单晶硅。...同时，研发的大直径、低氧碳、高寿命太阳能级单晶硅与同类产品相比，可使电池光电转换效率提高1～2个百分点，受到国内外市场赞誉。

来源：索比太阳能2011-04-08

该项目2010年9月1日开始施工，2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功，2011年3月30日生产出第一炉多晶硅锭，2011年4月1日，生产出了第一批硅片，经检测电阻率、少子寿命等各项指标均符合国家标准

来源：中国新能源网2008-10-29

但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。...另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧