2004-10-14

soi技术在芯片的晶体管与硅基片之间增加了一个绝缘埋层。这个绝缘层能够降低硅基片与活性晶体管之间的电容，从而使生产出的芯片速度更快，并且消耗的功率也更低。

2003-12-30

一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(soi)相结合的ssdoi技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(cmos)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　...另外，该公司通过在一个晶圆上结合2种硅基层，成功地开发了空穴迁移率比利用原来技术生产的cmos高出1.5倍的元件，利用这项技术可将cmos性能提高40%-50%。

2006-12-31

英特尔和amd在每个硅基片上采用多核心技术，可以有效的处理多个并行任务，但是增加时钟频率则可使单任务运行更快。 　　power6拥有7亿只晶体管，核心面积341平方毫米，将以65nm技术制造。

来源：《中国电子报》2007-03-14

“十一五”期间，我们要积极开发90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成电路的制造工艺技术，研究新型的光刻及离子注入技术，缩小技术差距。

来源：中国中小企业金融服务信息网2007-03-08

多年来，我国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，无论是半导体用还是太阳能电池用的多晶硅基本都靠进口，特别是由于近年多晶硅市场售价的暴涨，已经危及到我国多晶硅下游众多企业的正常运营，甚至影响到企业的生存问题

2007-01-05

这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。 　　“rs1012射频芯片是广晟微电子用了16个月的时间，先后投片二次才完成设计、优化和实现商用量产的。”