来源：索比太阳能2011-04-08

该项目2010年9月1日开始施工，2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功，2011年3月30日生产出第一炉多晶硅锭，2011年4月1日，生产出了第一批硅片，经检测电阻率、少子寿命等各项指标均符合国家标准

来源：中国新能源网2008-10-29

但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。...另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧