来源：互联网2011-12-16

获得的硅材料硼含量达到0.5~0.6ppm，磷含量达到了0.2~0.3ppm，纯度达到了6n，少子寿命为16s，达到项目任务书指标的要求；本专题技术获得的硅材料经省内外电池企业用成熟生产工艺，在标准尺寸的单晶片上制备出平均效率

来源：中国科学院2011-12-15

获得的硅材料硼含量达到0.5~0.6ppm，磷含量达到了0.2~0.3ppm，纯度达到了6n，少子寿命为16s，达到项目任务书指标的要求;本专题技术获得的硅材料经省内外电池企业用成熟生产工艺，在标准尺寸的单晶片上制备出平均效率

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

中盟中晶光伏科技有限公司拥有一支雄厚的技术研发团队，有各种先进的国内外自动化生产和检测设备，包括单晶硅生长炉、切断机、少子寿命测试仪等。

来源：Solarbe2011-10-13

在提高硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约

来源：solarzoom2011-09-16

由于衬底的高少子寿命和背面金属接触点处的高复合，背面接触点设计成2mm的大间距和2001lm的接触孔径。接触点间距需大于少子扩散长度以减小复合。...tca氧化产生极低的界面态密度，同时还能排除金属杂质和减少表面层错，从而能保持衬底原有的少子寿命。

来源：21IC电子网2011-08-10

测试设备用：sentech生产se-400adv的激光偏振仪；semilab生产的wt-2000的少子寿命测试仪。

来源：光能杂志2011-06-21

凤凰光伏准单晶硅片的基本参数导电类型：p 尺寸：156mm×156mm电阻：0.5—3ω.cm 少子寿命：≥2μs厚度：200μm±20/180μm±20 ttv：≤30μm弯曲度：≤30μm 线痕：≤

来源：搜狐IT2011-06-15

n型单晶硅及其硅处理技术参数达到国际先进水平，是目前国内唯一能达到少子寿命超1000微秒的太阳能级单晶硅。...同时，研发的大直径、低氧碳、高寿命太阳能级单晶硅与同类产品相比，可使电池光电转换效率提高1～2个百分点，受到国内外市场赞誉。

来源：索比太阳能2011-04-08

该项目2010年9月1日开始施工，2011年1月14日第一根单晶硅棒拉制成功，2011年3月30日生产出第一炉多晶硅锭，2011年4月1日，生产出了第一批硅片，经检测电阻率、少子寿命等各项指标均符合国家标准

来源：中国新能源网2008-10-29

但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。...另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧