来源：摩尔光伏2020-05-18

去psg目的由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层sio2，在高温下pocl3与o2形成的p2o5，部分p原子进入si取代部分晶格上的si原子形成n型半导体，部分则留在了sio2中形成psg。

来源：电池联盟2020-05-12

除此之外，cmc还是高容量硅负极材料的优良粘结剂，cmc中的羧基官能团与硅表面的氧化硅（siox）和硅醇（-si-oh）基团产生氢键或共价键作用力，能增强硅颗粒以及硅颗粒与集流体之间的粘结。

来源：《基层建设》2020-05-11

熔融固化后，重金 属能够稳定固化于玻璃体si、o网状结构内。因熔融技术具有能耗大、成本高等特点，制约了在国内的推广和应用。...高温熔融处理过程中向飞灰中添加玻璃质粉料，通过淬火形成玻 璃态的si-o网状结构，可进一步提高重金属固化体的力学性能和抗环境侵蚀能力。

来源：傻瓜扯扯淡2020-05-06

从十年前美国国家实验室的技术演进图来看，光伏的效率排序：异质结(multijunction)单质结(single-junction)多晶电池(crystalline si)薄膜电池(thin-film)

来源：环境工程学报2020-04-30

本研究选取工程中运行一年多的处理垃圾渗滤液的碟管式反渗透膜, 经研究判断, 污染絮体的主要成分是有机物, 并含有al、si等的胶体物质以及fe和ca的化合物。

来源：SOLARZOOM光储亿家2020-04-30

硅锭质量增长硅锭生长的电力消耗p型hpmc-si掺杂的市场份额演化p型单晶硅的掺杂市场演化各类硅片最低切片厚度的演化不同硅片类型的市场份额不同电池片的银浆消耗量市场上不同尺寸的硅片的生产可能性与此同时，

来源：摩尔光伏2020-04-29

通过对单晶硅片表面织构化进行化学钝化处理，提高a-si:h(i)/mono-si的界面质量，将晶体硅表面的缺陷钝化好，从而提高载流子通过a-si:h(i)/mono-si界面的几率，这样得到高的voc。

来源：盖世汽车网2020-04-23

据报道，研究人员采用了一个中和色透明c-si基板来研发该款电池，而且该电池的效率高达12.2%。

来源：摩尔光伏2020-04-21

（来源：微信公众号“摩尔光伏”）东方日升研究认为，一方面是由于a-si:h/c-si界面复合的降低而引起的，另一方面tco层以及tco/ag接触性能的改善可能也起到一定的作用。

来源：净水万事屋2020-04-17

k、ca、na、mg、si以及p为生物炭中主要的矿物组成。植物基生物炭中的矿物组分主要以钾以及硅元素为主，一般以sio2或是kcl等钾盐的形式存在。

来源：现代田园循环2020-04-13

生物炭以高度富碳为标志，主要含有c、h、o、s、n等元素及灰分物质，此外还保留了原料中的ca、mg、k、si、fe、mn、cu、zn等元素，元素组成受原材料和热解温度影响。

来源：《中国电力》2020-04-10

由表2可见，与新催化剂相比，在役催化剂的si、ca、p、s等含量有所提高，as含量增加幅度最大，达1.74%。

来源：《科技视界》2020-04-09

2.2 霍尼韦尔devctla阀门块程序块说明该程序段中devctla的di1，di2管脚分别连接阀门的开关信号反馈，si管脚连接阀门故障信号，do1，do2管脚分别连接阀门的开关命令信号，am程序块连接上位机的手自动选择按钮

来源：光伏测试网2020-04-08

钝化性能需通过后续退火过程激活，si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶。...常规al-bsf太阳能电池由于背面金属电极直接与si接触，载流子复合严重，导致j0偏高，voc难以超过685 mv。

来源：傻瓜扯扯淡2020-04-07

第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料，硅料价格的雪崩导致a-si、cigs和镝化镉等等薄膜路线的退出（first solar已经转型为美国封闭市场的电站epc和运营商，镝化镉产品没有竞争力）

来源：中关村储能产业技术联盟2020-03-30

联系人：王思，13552569822，65667069-802，si.wang@cnesa.org。特此通知。

来源：光伏测试网2020-03-25

此命令的范围不包括由非晶硅（a-si），碲化镉（cdte）或硒化铜铟镓（cigs）生产的薄膜光伏产品；不包括表面积不超过10,000mm 2的晶体硅光伏电池，它们永久集成到非发电功能的消费品中，并且会消耗集成晶体硅光伏所产生的电量

来源：青岛生物能源与过程研究所2020-03-20

.; si, w.; hou, z.; li, x.; wang, x.; zhao, f.; yang, z.; zhang, y.; huang, c.,pyridinic nitrogen exclusively

来源：摩尔光伏2020-03-19

位错源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹；b、杂质或o-si的原子集团，旋涡带；c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以

来源：摩尔光伏2020-03-16

活性基团sih和nh被传输到基底表面，二者发生表面反应生成si-n网络，其中还可能结合一定量的sih和nh基团。