北极星
      北极星为您找到“漏电流”相关结果258

      来源:solarzoom2012-03-14

      (2)高效率hit电池独有的带本征薄层的异质结结构,在p_n结成结的同时完成r单晶硅的表面钝化,大大降低了表面、界面漏电流,提高了电池效率。

      来源:EEWORLD2012-02-10

      - ntst30100sg肖特基整流器 30 a、100 v沟槽型器件,提供更低正向压降和更低漏电流,带来更高电路能效。

      来源:互联网2011-12-08

      直流故障接地监测仪将灵敏地监测系统的接地情况,直接检测正、负母线的漏电流,一旦系统的接地水平(正或负极侧的绝缘情况)达到了设定的跳闸水平,监测仪会输出信号报警,警示正极或负极接地,帮助我们解决接地故障点

      来源:牡丹江电业局2011-10-18

      一是家用电器外壳导电,而本身与大地有效接触,处于接地状态,人可以及时发现漏电故障及时排除;另一种是家用电器外壳不导电,发生事故电流时,因无法与大地形成回路,事故电流得不到及时发现和排除,当人接触电器导电部分时,漏电流会经人流入大地

      来源:北极星电力软件网2011-10-17

      在供电电压vdd下消耗的功率p如公式(1)所示:p=c*v2dd*fc+vddiq (1)这里c为电容,fc为开关频率,vdd为电源电压,iq为漏电流

      来源:PV-Tech2011-08-30

      电池如果存在反向漏电流,效率会大大降低,导致模组的光性能低下,而热斑摄像机能够将其剔除。因此,israsolarvision的光学检测系统可提升高效太阳能电池的产量。

      来源:PV-Tech2011-08-30

      电池如果存在反向漏电流,效率会大大降低,导致模组的光性能低下,而热斑摄像机能够将其剔除。因此,israsolarvision的光学检测系统可提升高效太阳能电池的产量。

      来源:中国电力新闻网2011-07-13

      该系统可自动监测避雷器计数器的计数动作次数,通过控制室自动监测报警仪观察每组避雷器的泄漏电流大小,向监控中心发送信号,一旦漏电流异常变大,即时报警;能对由于环境湿度大、避雷器表面泄漏而引起的电流增大进行智能化判别修正

      来源:安徽省芜湖县供电公司2011-07-01

      该系统可自动监测避雷器计数器的计数动作次数,通过控制室自动监测报警仪观察每组避雷器的泄漏电流大小,向监控中心发送信号,一旦漏电流异常变大,即时报警;能对由于环境湿度大、避雷器表面泄漏而引起的电流增大进行智能化判别修正

      来源:EEWORLD2011-06-30

      dg2725和dg2599具有掉电保护功能,在v+=0v,vcom1或vcom2=4.3v情况下,可以确保com1和com2的漏电流小于1μa。

      来源:www.21dianyuan.com2011-05-26

      该系列产品额定电流为3a至30a,低漏电流,符合严格的医疗行业标准。30a款为te获批应用于医疗行业的最高安培数电源滤波器。

      来源:中国传动网2010-12-13

      与硅快恢复二极管相比,这种新型的二极管具有反向漏电流随温度变化小、开关损耗低、反向恢复性好等显著特点。

      来源:互联网2009-09-27

      碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。   

      2006-09-28

      二极管的生产测试包括验证步骤确定待测二极管的极性,然后测试正向压降、反向击穿电压以及漏电流。...漏电流ir有时也称为反向饱和电流,is是给二极管施加小于反向击穿电压的一个电压时的电流,它是通过施加一个特定的反向电压并测量产生的电流来得到的。

      2006-02-09

      此外,90纳米工艺的芯片漏电流更大,使得90纳米工艺的芯片温度更高——即使芯片还没有全速运行。因此,intel不得不把精力从如何设计更快的芯片上挪开,转而关注如何设计低功耗和高能效的芯片。

      2005-01-13

      测试过程加两次脉冲电压,第一次测真空灭弧室表面漏电流,第二次测真空灭弧室漏电流和动静触头离子电流,用第二次电流减第一次的剩余离子电流来自动查找标定曲线,计算出真空度值,测量三相后,自动打印结果,大屏幕液晶显示

      2004-12-28

      论文称,它具有0.5na~50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中,我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件,门级漏电流小于30 pa/μm,gdil低于10 pa/μm。”

      2007-01-17

      其微处理器在1.2v驱动时,漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm,pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。