来源：中国工业电器网2012-10-30

检查时发现变频器在上电但没有合闸信号时，直流回路电压即达360v，该型变频器直流回路的正极串接1台接触器，在有合闸信号时经过预充电过程后吸合，故怀疑预充电回路igbt性能不良，断开预充电回路igbt，情况依旧

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

2010-05-27

逆变装置的基本结构，除上述的逆变电路和控制电路外，还有保护电路、输出电路、输入电路、输出电路等，如图２所示。...并由ｐｗｍ脉宽调制控制ｉｇｂｔ管的导通或截止。

2005-12-06

而ipm的投入应用比igbt约晚二年，由于ipm包含了1gbt芯片及外围的驱动和保护电路。...第四代igbt的应用使变频器的性能有了很大的提高。其一是icbt开关器件发热减少，将曾占主回路发热50－70％的器件发热降低了30％。