来源:储能科学与技术2019-07-25
在充放电工作过程中,氧化锡的体积效应及其自身的半导体特性,导致活性物质粉化、固态电解质膜的碎裂,循环容量急剧下降,严重影响锡基负极材料的量产及商业化进程。...为此,众多研究者采用各种材料改性方法,如合成纳米线状、纳米片状、纳米管和纳米棒状以及空心纳米状等,在一定程度上缓解氧化锡的体积效应。
来源:科技日报2018-12-05
据介绍,这种人造纳米“竹子”的竹节和竹茎,分别由硫化镉和硫化锌两种不同的半导体材料组成,二者交替生长,非常类似于我们生活中看到竹子拔地而起的生长过程。...记者12月3日从中国科学技术大学获悉,该校俞书宏教授团队与多伦多大学萨金特团队合作,设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法,成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点—纳米线分段异质结,该结构是类似竹节结构的纳米
来源:锂电联盟会长2018-03-29
(cvd)和物理气相沉积法(pvd).cvd是一种用于生产高质量、高性能的固体材料的化学过程,这个方法通常应用于半导体领域的薄膜制造.pvd是一种真空沉积法,可以用来制作薄膜和涂层.pvd是材料从凝聚态转变为气态....2.1硅碳纳米线纳米线是纳米级应用的一种,产业化的纳米线直径分布在50~100 nm.图1为碳硅核壳纳米线的sem形貌.
来源:中国科学院2016-03-18
针对力学柔性问题,熊宇杰课题组对商用硅片进行薄化和纳米线刻蚀处理,进而结合银纳米片的等离激元热电子注入效应,制造出了具有力学柔性的近红外太阳能电池。...研究人员基于课题组先前研究的半导体-金属界面上的热载流子注入效应,将具有近红外等离激元吸收带的银纳米片结构引入无机-有机异质结和肖特基型两种光伏器件中,分别取得了近红外光区光电转换性能提高。
来源:科技日报2016-03-11
李孝峰带领团队博士生对纳米线和纳米孔阵列太阳电池的量子效率谱和载流子复合电流做了深入研究,量化了不同半导体掺杂和器件结构下载流子复合引起的光电流损失,为此类纳米结构太阳电池的设计制造提供了详细信息。
来源:科技日报2016-01-08
石墨烯研究方面:美、中、日科学家发现了一种碳的新结构五边石墨烯,计算机模拟显示,这种半导体具有超高机械强度,能耐727摄氏度左右的高温;加州大学河滨分校的研究团队用新方法,让石墨烯拥有磁性的同时获得新的电学性能...斯坦福大学利用导热材料,开发出一种非常轻的新型纳米线网状面料,比传统面料能锁住更多热量,连通电源后还能主动发热,用它织成的衣服,让一个人每年能节省大约1000千瓦时的能量,这相当于一个普通美国家庭一个月的用电量
来源:科学出版社2015-04-23
碳纳米管作为一维纳米线的最佳代表,对其的深入研究仍将继续。...尽管碳纳米管在单器件水平上表现出优异的性能,但是碳纳米管还存在手性混杂的问题,这使其同时具有半导体和金属的电子传输行为,从而严重限制了其在电子器件方面的应用。
来源:能源观察网2014-11-24
东芝公司研发出石墨烯与银纳米线复合透明电极,并实现了大面积化。(二)半导体材料领域。石墨烯被认为是替代硅的理想材料,大量有实力的企业均开展了石墨烯半导体器件的研发。
来源:OFweek 锂电网2014-10-28
石墨烯有望打破半导体产业流传的摩尔定律,即芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半。目前通用材料硅的加工极限一般为10纳米线宽,而石墨烯尺寸更小,且导电性能更好,电子迁移率更高。
来源:能源观察网微信2014-10-24
东芝公司研发出石墨烯与银纳米线复合透明电极,并实现了大面积化。(三)半导体材料领域。石墨烯被认为是替代硅的理想材料,大量有实力的企业均开展了石墨烯半导体器件的研发。
来源:能源观察网微信2014-10-22
来源:21世纪宏观研究院分析师2014-10-22
来源:科学时报2012-12-27
此外,研究报告的第一作者、麻省理工学院材料科学与工程学系博士后张胜根表示,不同于其他温度一直持续升高的半导体,涂层氧化锌纳米线的石墨电极完全可以将温度控制在175摄氏度以下。...由于石墨的稳定性和惰性结构,要直接在纯净石墨烯的表面构建半导体纳米结构而又不影响其电性能和结构,具有较高的挑战性。
来源:中科院研究所2012-12-13
具有纳米多孔结构的半导体光阳极是dssc的核心组成部分,采用有序、多功能的新型纳米结构替代传统由纳米颗粒构成的无序光阳极,是dssc基础研究领域的前沿和难点。
来源:中国科学院2012-06-15
对于氧化锌、氮化镓等半导体材料,由于同时具有压电性和半导体性,压电效应可以改变金属-半导体的界面势垒和p-n结的输运性质,这就是压电电子学。...该效应是佐治亚理工学院王中林教授小组2009年首次发现的.纳米线太电池在自驱动纳米系统和柔性电子学上有很大的应用前景。
来源:北极星太阳能光伏网2011-12-02
美国科学家开发出一种新技术,首次成功地将复合半导体纳米线整合在太阳能硅片上,攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。
2006-05-15
jewler预测,到2015年,随着小于45nm的ic出现及采用诸如纳米线和纳米碳管等材料,纳米技术将主宰半导体市场。他还预测将出现450mm晶圆厂,尽管这种厂房耗资达100亿美元。