来源：江西省人民政府2025-01-07

以南昌、吉安等地为重点，依托京九（江西）电子信息产业带，发挥我省在电子、光学领域的技术研发优势，重点发展新型光电相关关键材料、功能性器件及材料、智能制造技术及设备等，推动硅衬底led半导体照明、玻璃基板等新型电子元器件产业高端化发展

来源：南昌市人民政府2023-12-04

优先支持硅衬底led技术，强化硅基led技术应用领域的研究开发，

来源：隆基绿能2023-06-15

面向产业化开发，隆基绿能团队先后突破了绒面硅衬底钙钛矿薄膜晶体生长、高效体相钝化和光学管理等关键技术，实现了硅基叠层电池效率的快速提升。...此前，隆基绿能自主研发的硅异质结电池转换效率达到26.81%，打破了尘封5年的全球硅电池效率世界纪录。太阳能电池效率是光伏科技创新的灯塔，每一次0.01的突破都充满挑战。

来源：隆基绿能2023-05-26

面向产业化开发，隆基团队先后突破了绒面硅衬底钙钛矿薄膜晶体生长、高效体相钝化和光学管理等关键技术，实现了硅基叠层电池效率的快速提升。...此前，隆基首次自主开发的硅异质结太阳能电池，因其优异的钝化接触结构实现了硅电池世界纪录26.81%电池转化效率。

来源：隆基绿能2023-05-25

基于面向量产化开发的目标，隆基研发团队在商业级cz硅片上先后突破了绒面硅衬底钙钛矿薄膜晶体生长、高效体相钝化和光学管理等关键技术，实现了硅基叠层电池效率快速提升。...5月24日，隆基绿能自主研发的硅异质结转换效率26.81%世界纪录概念产品2681正式亮相，其超高电池效率将持续转化为极致的组件性能。此次概念产品的落地，也意味着该技术距离量产更近了一大步。

来源：隆基绿能2023-05-24

面向量产化开发，隆基团队先后突破了绒面硅衬底钙钛矿薄膜晶体生长、高效体相钝化和光学管理等关键技术，实现了硅基叠层电池效率的快速提升。...作为此次创新发布的3大亮点之一，隆基于2022年11月自主研发的硅异质结转换效率26.81%世界纪录概念产品2681，也在此次发布会上正式亮相。

来源：南昌市人民政府2023-03-20

到2030年，低碳混凝土、无熟料水泥、硅衬底led应用技术、高效锂离子电池负极材料、氢燃料汽车等代表性技术产业转化取得显著成效。实施低碳产业聚变降碳行动。

来源：欧达光电2022-08-19

n型topcon技术是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池技术，其电池结构为n型硅衬底电池，背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合

来源：苏州晟成光伏2022-06-23

topcon电池结构为n型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。...计算表明，topcon电池效率极限28.7%，最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率29.43%。近年来， perc作为行业主流产品，效率提升渐遇瓶颈，行业技术焦点正由p型转向n型。

来源：北极星氢能网2021-09-14

“l15高级教练机研制”获国家科学技术进步一等奖，“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管”获国家技术发明一等奖，“图形化的柔性透明导电膜及其制法”获中国专利金奖。（四）数字融合赋能不断提速。

来源：pv-magazine2020-08-26

让电池直接生长在硅衬底上是一项有前途的策略，能够削减某些技术过高的生产成本。通过使用多孔硅，科学家能够朝着以更低成本生产高性能iii-v太阳能电池的目标迈进一大步。

来源：贺利氏可再生能源2020-07-10

id:heraeus_renewables）topcon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触（tunnel oxide passivated contact）太阳能电池技术，其电池结构为n型硅衬底电池

来源：摩尔光伏2020-05-25

这是迄今为止经第三方权威认证的中国本土效率首次超过25%的单结单晶硅太阳电池，也是目前世界上大面积6英寸晶体硅衬底上制备的单晶硅太阳电池的最高转换效率，标志着天合在高端光伏电池技术研究上迈出了重要的一步

来源：pv magazine2020-02-13

研究人员表示，moox——因其高工作功能和带隙而已被用作有机、无机和薄膜太阳能电池的载流子选择层和晶体硅衬底——已被运用于设备中，而后者的结构设计能使前者充分发挥其比p型氢化非晶硅更高透明度的优势。

来源：摩尔光伏2020-02-13

硅衬底是异质结界面的一部分，其品质是决定电池性能的关键因素之一。...完全去除损伤层后，可大幅度降低硅片表面的界面态密度，减少硅片衬底的复合损失。影响抛光效果的主要因素为药液浓度、工艺温度、工艺时间等，可通过工艺参数调控抛光处理效果。

来源：光伏每日头条2020-01-10

，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。...而且低温环境使得a_si：h基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单品硅片弯曲变形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化

来源：光伏测试网2019-09-18

该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层p型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场；在两侧非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。...技术介绍及前景1 hit技术背景介绍异质结电池异质结hit(hereto-junctionwith intrinsic thin-layer)电池（同时也简称hjt，shj，sjt等），通常以n型晶体硅作衬底

来源：北极星环保网2018-10-08

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。

来源：江西省工信委2018-09-30

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。

来源：北极星电力网2018-09-29

制定完善省级制造业创新中心建设布局，促进硅衬底半导体照明、有机硅、稀土功能材料等创新中心尽快发挥作用，推动共性关键技术突破并首次商业化应用。