互连问题困扰下一代芯片，业界寻求对策

 　　美国乔治亚技术学院微电子研究中心主任James Meindl在国际物理设计论坛(ISPD ’04)发表主题演讲时表示，“互连问题”正威胁着下一代芯片的时序、功率和成本。Meindl介绍了在电气、光学和热互连领域的前沿研究。 

　　他表示，互连已成为关乎延迟、能量耗散及芯片掩膜层数的决定因素。在100纳米节点，MOSFET内部的开关延迟为5皮秒，而RC反应时间为每1毫米就达30皮秒。这种6比1的差距将演变为100比1的差距。 

　　Meindl回顾了许多来自Interconnect Focus Center的解决方案，这是总部设在该大学、由DARPA资助的项目。该项目包含12所大学、60个系和133个研究生。 

　　他指出，该项目有两大驱动力。其中之一是每秒40太位计算和通信芯片，光互连超过1000信道。另一个是集成多种工艺技术的低能量、混合信号无线节点。 

　　在电气互连领域，Meindl表示，研究人员正在关注碳纳米管，以及生物工程分子布线和“spintronics”，spintronics通过注入旋转极化的电子信息包来提供信号传输。