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104PHL-ST电容器在在+105℃下寿命长达5000小时,纹波电流达34.8A,具有从6800μF、450V至33000μF、200V的高容值/电压组合。
上月月初,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新系列螺旋式接线柱功率铝电容器---104PHL-ST。该款电容器在+105℃下的使用寿命长达5000小时,在+105℃下的额定纹波电流高达34.8A,提供从35mmx60mm至90mmx220mm的11种外形尺寸。
圆柱形的铝外壳与密封圆盘里的蓝色套筒和减压装置保持绝缘。在90mmx220mm的大外形尺寸内,104PHL-ST电容器具有包括6800µF、450V和33000µF、200V在内的高容值/电压组合。
器件采用8mmM5高位接线柱或13mmM6低位接线柱。电容器符合RoHS指令2002/95/EC,提供标准或螺栓螺母版本。
104PHL-ST器件是采用非固态电解液的极化铝电解电容器,非常适合高功率开关转换器中的直流母线电容器和脉冲电源应用中的能量储存。终端产品包括运输、医疗和工业设备、UPS设备、焊接设备、单相和三相电机控制,以及太阳能电池和风力发电机的逆变器。
器件规格表:
104PHL-ST电容器现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十二周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市的“财富1,000强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
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大盘进入敏感点位,紧急避险五大板块出炉今日头条:提前公布明日建仓必涨7%股票重大利好:散户仅需800元就可参与做空谢国忠:政府要是能这样做 A股能涨10倍近几年,随着国外的生产成本逐渐上涨,日本地震等因素的影响,全球铝电解电容器产业逐渐向中国转移,对我国的铝电解电容器产业发展起到了一定的推动作用。我国铝电解电容器行业如何才能掌控好未来的发展之路是一个值得思考的问题。•我国铝电解电容器市场预测随着科学技术的发展,铝电解电容器既有来自集成电路、整机电路改进的压力,也有在高压、高频、长寿命、小容量应用领域中其他电容器相互渗透的压力。但铝电解电容器自
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根据实际工作需要,现组织开展深圳供电局有限公司2024年主网一次材料、仪器仪表、主网一次设备类(电力电缆、导线、电缆附件、线路精确故障定位监测装置、变压器电容隔直装置)第一批次物资专项公开竞争性谈判竞争性谈判采购工作,公告符合条件的潜在谈判对象就此项目进行谈判响应。对此项目有意向的潜
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2014 年 6 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其光电子产品部发布通过AEC-Q101认证的,工作温度可达+105℃的新款全集成距离和环境光传感器--- VCNL4020X01。该传感器在小尺寸4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形无引线(LLP)封装内集成了一个红外发射器、一个探测距离的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号处理IC和一个16位ADC。这颗三合一传感器具有中断功能,支持I2C总线通信接口,在各种汽车、消费和工业应用中能极大简化窗口和传感器的摆放位置设计。Vishay发布通过AEC-Q
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月29 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.)宣布,其QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。今天发布的V
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精密器件具有10MΩ的高阻值、低至±0.01%的公差和±5ppm/℃的TCR宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用,具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。今天发布的电阻采用高工作电
日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。除了具有优异的隔离能力,使用可靠和久经考验的光电子技术,VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制
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3mm x 3mm封装的集成式microBUCK®器件提供4.5V~15V宽输入电压和可调节输出,效率高达95%。日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款可编程开关--- Vishay Siliconix SiP12109,其频率高达1.5MHz,输入电压4.5~15V的4A器件,扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSF
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列高精度薄膜MELF电阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是针对对高可靠性和稳定性有严格要求的应用而设计的,是业内首款在标准0207外形尺寸内实现±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF电阻。UMB 0207系列产品具有高可靠性并兼具最高水平的精度和稳定性的专业品质,它通过轴向薄膜高精度电阻目前所能达到的MELF产品的最严格验证要求。这种独特的组合使这些器件极为适合测量和校准设备、工业控制
器件导通电阻低至1.5Ω,具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗。日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺,导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比,这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要
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