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在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,英飞凌科技展出的一系列创新产品和解决方案生动地诠释了大会的宣传口号“高能效之道(Energy – the efficient way)”。这些产品和解决方案可确保大幅降低电子设备和机器的能耗。
国际能源机构(IEA)预计,今后20年,全球能耗将增加35%以上。以电力形式消耗的能源,占全球总能耗的三分之一左右。电力一般要经过远距离输送,这个过程往往会损耗大量电力。巧妙地利用功率半导体,能够最大限度地降低发电、输配电和电源转换等环节的电力损耗,从而消除这种能源损失。利用这种节能芯片还可以大大提高电子设备和机器的能效,以确保最大限度地节省能源。随着全球人口数量不断增长,节能的重要性日益凸显。从某种意义上讲,提高能效也是最大的能源来源之一。作为全球领先的功率半导体供应商,英飞凌通过提供IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等产品,为降低全球能耗作出了巨大贡献。诸如电视机、计算机、电源装置、游戏机、服务器、电机和机器等各类电子和电气设备纷纷使用了英飞凌的节能芯片。
英飞凌科技副总裁兼电源管理和分立式器件业务部总经理Andreas Urschitz表示:“利用英飞凌节能半导体解决方案,最多可将全球总能耗降低25%。我们的产品的节能效果甚至超过了国际能效标准,因而能为我们的客户带来明显的竞争优势。”
英飞凌在PCIM Europe 2011展会上展出的电源管理产品和解决方案一览:
最新RC-D快速IGBT以很高的开关频率实现了最高达96%的能效,同时缩小变频器的尺寸并降低其成本
英飞凌的逆导型(RC)600V IGBT家族又添两名新成员。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计出更高能效的电机驱动家用电器,它们使用尺寸更小的元件,因此成本比同类系统更低。
英飞凌最新推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS CFD2产品,可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度
英飞凌的最新一代高压CoolMOS MOSFET实现了又一项创新,设立了能源效率的新标准。英飞凌展出了全新650V CoolMOS CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点,不仅可以提高能效,而且具备更软的换流功能,从而降低了电磁干扰(EMI),提升产品的竞争优势。
英飞凌为实现高能效电源转换设计助一臂之力:中压系列OptiMOS进一步完善CanPAK产品阵容
英飞凌新推出的60V至150V CanPAK,进一步完善了其OptiMOS功率MOSFET产品阵容。利用该产品,电源系统工程师可以优化设计,实现更高能效和卓越的散热性能,同时最大限度地缩小占板空间。较之于标准分立式封装,CanPAK™金属“罐”结构有助于实现双面散热,并且几乎不会产生封装寄生电感。CanPAK的优势与OptiMOS家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg 。对于诸如面向电信应用的隔离式DC-DC电源转换器,以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP追踪器等快速开关应用而言,很低的栅极电荷(Qg)意味着最低的开关损耗。而对于诸如电机控制等高电流应用场合,英飞凌CanPAK™产品具备业界最低的RDS(on),可以实现最低的功率损耗。
碳化硅肖特基二极管thinQ!——采用TO封装的高能效1200V器件
随着时间的推移,英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管,已经成为不成文的行业标准。现在,英飞凌进一步扩充了这个本已十分广博的产品组合,推出了采用新的TO-247HC(长爬电距离)封装的1200V碳化硅二极管。
这种新的封装完全兼容行业标准TO-247,因而可轻松用于现有的设计,而无需付出额外的努力。更长爬电距离,可提高系统安全性,有效防止系统内部的灰尘或污垢导致的短路,特别是电弧。这样,就不需要使用额外的化学(硅胶或硅霜)或机械(护套或箔)手段来避免封装引线之间存在任何污染,从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。碳化硅肖特基二极管thinQ™系列的目标应用包括太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等,可全面满足客户不断提高能效和功率密度的需求。
全新60V逻辑电平OptiMOS“606”系列小信号MOSFET
英飞凌以提供适用于汽车(AEC Q101)的品质优异
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近日,英飞凌科技与羲和未来科技有限公司(以下简称“羲和”)签订了合作备忘录,建立全球范围内的合作伙伴关系。英飞凌副总裁刘伟指出,英飞临将向羲和提供最尖端功率半导体器件,以支持其开发下一代高效率、高可靠性的功率变换器,进一步提高羲和光伏储能产品的发电效率、安全性和可靠性。羲和的CEO
北极星储能网获悉,5月31日,动力总成驱动技术及电气化解决方案供应商纬湃科技(VitescoTechnologies)与英飞凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)签署了合作协议,将联合开发碳化硅(SiC)功率半导体。据了解,英飞凌是领先的汽车电子半导体制造商,也是运用创新型材料制造碳化硅功率半导体的国际供
3月26日,英飞凌科技大中华区高级副总裁、汽车电子事业部负责人曹彦飞出席电动汽车百人会国际论坛指出,未来五年汽车领域碳化硅的渗透率有可能到20%甚至更高。2021年全球新能源汽车600多万辆,每两台采用主逆变器的新能源汽车中就有一台搭载了英飞凌系统级的解决方案,包括功率半导体,IGBT、功率器件
自去年下半年以来,市场频频传出缺货潮。如今已经过去了一年,芯片缺货潮是否缓解,各行各业众说纷纭。因此,我们统计了ST、瑞萨、NXP、ADI、安森美、赛灵思、Microchip、高通、东芝、DIODES、英飞凌等原厂的最新市场动态。
根据IHS最近发布的2017年全球功率半导体市场份额报告,全年全球功率半导体市场体量是185亿美金,同比增长13.1%,达到自2010年以来的最大值,这主要来源于全球半导体市场的复苏,特别是中国市场的快速崛起。另外,英飞凌一家独大,这主要体现在两个方面。一是,占据18.6%的份额,达到33.41亿美金(约是
在线直播时间:2019年02月27日上午10:00-11:00目前,储能技术在电网“发输配用”各个环节都发挥重要作用,可改善电网的局限性并使其更加灵活和高效;近年来,储能技术快速发展,尤其是电化学储能逐渐成熟,已有不少工程示范及小范围的商业化应用案例,接近大规模推广利用阶段。电池是储能系统的核心,业
11月6日,在上海举办的首届中国国际进口博览会进行到第二天,阳光电源与英飞凌签署了《战略合作备忘录》,将双方的合作关系推向新高度。图片来源于英飞凌根据协议,英飞凌提供的具有领先技术的高性能半导体产品,将应用于阳光电源光伏、风电、汽车和储能领域,在提升效率和能源转化上起到重要作用,助
在线直播时间:2018年09月18日上午10:00-11:00碳化硅(SiC)凭借优良的材料特性,成为下一代高速、高效及高压的功率半导体的理想基础材料。英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。北京晶川作为英飞凌
中国电动汽车百人会论坛(2018)于1月20-21日在北京钓鱼台国宾馆召开。本届论坛的主题为ldquo;把握全球变革趋势实现高质量发展rdquo;,论坛延续了ldquo;闭门会+高层论坛+主题峰会rdquo;的主要框架,中国创新创业大赛第三届国际新能源及智能汽车大赛全球总决赛也在会议期间举行。电力头条App全程直播本次
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司开始批量生产EASY1B英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200VCoolSiCMOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。英飞凌工业功率控制事业部总
可预见的将来,电能将在人类能源消耗当中占据最大比例。功率半导体技术是电力电子技术的基础与核心,它有助于高效地发电、输电和转换电力,能将粗电变为精电。有统计显示,75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。因此,电力行业的高能效离不开功率半导体。作为功率半导
高压直流断路器可以分为机械式高压直流断路器、固态高压直流断路器与混合式高压直流断路器。其开断短路电流的方法各有不同。高压直流断路器可以分为机械式高压直流断路器(mechanicalHVDCcircuitbreaker)、固态高压直流断路器(solid-stateHVDCcircuitbreaker)与混合式高压直流断路器(hybridHVDCcircuitb
无论是直流电源还是交流电源,都要使用由软磁磁芯制成的电子变压器(软磁电磁元件)。虽然,已经有不用软磁磁芯的空芯电子变压器和压电陶瓷变压器,但是,到现在为止,绝大多数的电源装置中的电子变压器,仍然使用软磁磁芯。电子变压器和半导体开关器件、半导体整流器件、电容器一起、称为电源装置中的4大主要元器件。根据在电源装置中的作用,电子变压器可以分为:1)起电压和功率变换作用的电源变压器,功率变压器,整流变压器,逆变变压器,开关变压器,脉冲功率变压器;2)起传递宽带、声频、中周功率和信号作用的宽带变压器,声频变压器,中周变压器;3)起传递脉冲、驱动和触发信号作用的脉
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903,以扩充旗下霍尔效应开关产品系列。这两款器件能节省功耗和空间,并使设计更灵活,有助于提高消费性、家用、办公室及工业产品内多种非接触式开关应用的性能。AH1902为全极性器件,可检测南北两极磁场。可编程的AH1903在缺省模式下为单极性器件,在封装有标记的表面检测南极磁场。通过一个简单的选择引脚,外部逻辑源或微控制器能够根据磁场方向随时把AH1903设置成全极性模式,以满足多种应用的需求。这两款开关的灵敏度高,能够使用磁场强度较弱的磁石,或
高压快脉冲源的技术基础核心是高压快开关。以前固体器件开关尽管具有速度快、晃动小等优点,但由于技术与工艺水平的限制,不具备有电真空器件的大功率、耐高压、大电流驱动能力等特点,因而只能用于低压快脉冲源领域,随着半导体技术的发展,逐步出现了高压固体器件,采用多管级联方式,提高输出功率,逐步改变了现状,并且在中小功率的脉冲源领域中,逐步地取代了真空电子器件及氢闸流管。这里重点研究基于固体开关的脉冲驱动技术,对雪崩管、高压功率场效应管的机理进行了深入调研,对其开关原理和开关特性进行了综合分析研究,着重对提高大功率高压场效应管开关速度的栅极驱动及特殊的&ldquo
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