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我国集成电路溅射靶材打破国外垄断

2013-11-05 16:19来源:中国电力电子产业网关键词:集成电路溅射靶材硅片工艺收藏点赞

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日前,中国有色金属工业协会对中色(宁夏)东方集团有限公司完成的极大规模集成电路300mm硅片工艺溅射靶材研发与产业化项目进行了鉴定,该项目整体技术已达到国际先进水平,打破了发达国家对集成电路用高端靶材的垄断。

据了解,溅射靶材是生产半导体芯片最重要的原料之一。目前全球只有日本和美国具备生产先进半导体用溅射靶材的能力。中色(宁夏)东方集团和其他6家单位共同实施的这一项目形成了具有我国自主知识产权的集成技术并实现了产业化,产品通过了终端客户认证。该项目达产后,预计年销售收入在20亿元以上。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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