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在节能和绿色的大趋势下、在各机构和政府制定的规范推动下,电源和电子设备必须遵守强制性能效规范,以及智能便携设备小型化多功能的发展趋势,要求电源 与电源管理必须提高电源效率、降低待机功耗、改善功率因数、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。电源制造商、半导体制造商均 积极开发能够提高效率的新型解决方案。
由于增加了便携式设备的使用,在目前的电力系统中,对于电信网络基础建设(3G / LTE & LTE-A通讯网络)和云系统的各种需求正成为核心议题。因此,针对电信基础建设和计算包括云系统,对于能够满足来自电源管理应用各种要求的半导体产品和 电子产品需求也已增加。尤其在大中华区,华为(Huawei)、中兴(ZTE)和联想(Lenovo)专注于电信和计算电源业务。
为了满足此市场中对更高功率等级、效率、功率密度等要求,半导体供应商正致力于为市场提供采用小型化封装的高开关速度、大电流、低RDS(ON)的SJ/MV MOS, IGBT器件。
而且,来自目前材料(例如,硅)的上述既有器件的局限性可以通过下一代宽带隙半导体产品,比如SiC和GaN开关来克服,它们将会在不久的将来应用于这个市场中。
以高性能IGBT、MOSFET解决功率管理的挑战
功率管理的发展重心将逐渐集中在能效方面。飞兆半导体的高能效解决方案在应对当前功率管理挑战方面扮演着关键的角色。飞兆半导体推出的场截止IGBT具 备高电流能力、低传导损耗和低开关损耗、易于并联运行的正温度系数、最大结温: Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA(安全工作区)等优势,能够在高频应用中满足低能量损耗的要求。
飞兆的600V平面型场截止 (Field Stop Planar) IGBT是能够用来满足客户需求的最好产品之一。对于高频应用中的低能量损耗要求,飞兆的600 V平面型场截止(Field Stop Planar) IGBT为客户提供了解决方案。为继续满足客户对于高功率密度的期望,并兼容各种市场应用,飞兆在2012年推出了650 V沟槽型场截止(Field Stop Trench) IGBT。其目标应用为工作在中频开关频率上的不间断电源(uninterruptable power supply,UPS)和电焊机应用。650 V沟槽型场截止(Field Stop Trench) IGBT拥有非常严格的关键参数控制,并通过加固设计来来保证短路特性来满足目标应用。
飞兆650 V沟槽型场截止IGBT会继续在高频应用中降低能量损耗和降低EMI等级等方面发展。
超级结MOSFET
飞兆半导体充分利用其高端工艺和前沿封装技术,不断推出高性能半导体产品,积极应对功率管理挑战,以优化电源、便携式、照明、电机、计算以及消费应用产 品的能效。飞兆推出的超级结MOSFET,采用先进制造工艺降低EPI电阻,解决了HV MOSFET中RDS(ON)的主要影响因素。超级结MOSFET技术能够有效隔离导电区域与电压阻断区域,在导通状态下,重掺杂外延区域可确保导通电阻 足够低;在关断状态下,夹断导电区域,充当电压持续层,可谓是突破硅限制的超级MOSFET。超级结MOSFET优势明显,在较低的输出电容(Eoss) 可获得轻载条件下较高的效率;较高的体二极管耐用性和较小的反向恢复电荷(Qrr)能为谐振转换器提供更可靠的系统。
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