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光迅:光集成是高速光通信器件的必由之路

2013-12-10 09:35来源:讯石光通讯咨询网关键词:光集成光通信器件光纤通信收藏点赞

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在上月底的2013光纤通信发展报告会上,光迅科技研发部周亮博士作了《光集成是高速光通信器件发展的必由之路》的报告,报告从市场对光集成的需求谈起,引入到100G、40G高速光器件中集成技术的应用,重点介绍了在100G传输网和40G接入网以及100G数据中心用集成光器件发展。

光通信市场迎来新增长 光集成应用越来越广泛

报告指出,2012年以后,光通信市场将迎来新的增长,主要由广域网中100G、ROADM市场和数据中心市场驱动。“宽带中国”战略的落实将推动光接入网市场的繁荣。光器件将向更高阶调制格式和更多通道数、更高单通道速率发展。从高速光模块来看,从CFP分立式到CFP 2/CFP 4集成化,光集成技术的应用将越来越广泛。周博士具体指出从封装形式来看CFP到CFP4,外观尺寸缩小很多,功耗等级越来越低。

具体到有源、无源芯片间的混合集成按照光合波/分波器(MUX/Demux)构型可以分为:基于硅基二氧化硅波导PLC的混合集成和基于薄膜滤波片TFF的混合集成。按照耦合工艺分类可以分为:无源对准耦合(高精度贴片工艺)和有源对准耦合(加电、透镜耦合)。

其中基于硅基二氧化硅波导PLC的混合集成,采用直接对准耦合。1dB光损耗内,水平耦合容差在0.5um,在AWG端采用模斑变换其可将耦合损耗减小3dB,1dB耦合容差增加到1um。在AWG端采用模斑变换其可将耦合损耗减小5dB,1dB耦合容差增加到2um。

基于硅基二氧化硅波导PLC的混合集成,采用加电、透镜耦合方式,平行光轴方向的耦合容差,1dB光损耗内,水平耦合容差在20um。垂直光轴方向的耦合容差,1dB光损耗内,水平耦合容差在1um。

10G EPON规模商用 下一代数据中心围绕单模光纤/边发射激光器展开

报告还提到10G EPON 2013年规模商用,40G堆叠TWDM-PON成为NG-PON2主流, FSAN标准进展顺利,预计2015年商用。接入网络将升级平滑,兼容10G PON、GPON、EPON。用户数和用户带宽兼顾,具有经济性和实用性。

40G 光接入网(TWDM-PON)从多波长OLT来看,主要是4通道/8通道的激光器与光合波器、探测器与光分波器间的集成。从用户端可调波长的ONU来看,集成主要体现在波长可调元件与激光器/探测器的混合集成。业界也已经推出40G接入网中的集成器件即波长可调谐激光器如JDSU / Oclaro的InP基单片集成可调谐激光器和NTT的InP基单片集成可调谐激光器阵列。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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