北极星

搜索历史清空

  • 水处理
您的位置:电力技术正文

意法半导体(ST)“无拖尾电流”600VIGBT突破功率设计限制

2013-12-16 14:39来源:电源门户网关键词:IGBT无拖尾电流二极管收藏点赞

投稿

我要投稿

意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT 具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8V,最大工作结温高达175°C,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI) 设计。

通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性,意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄,这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式(trench-gate)场截止型(field-stop)工艺降低了热阻,最高结温高达175°C,同时实现了对饱和电压等参数的严格控制,允许多个IGBT安全并联,提高电流密度和通态能效。

全新的IGBT非常稳定,具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复(soft-recovery)二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用,意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。

意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产,采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

特别声明:北极星转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

凡来源注明北极星*网的内容为北极星原创,转载需获授权。

IGBT查看更多>无拖尾电流查看更多>二极管查看更多>