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意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT 具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压更是低达1.8V，最大工作结温高达175°C，这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率，并简化散热设计和电磁干扰(EMI) 设计。
通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式(trench-gate)场截止型(field-stop)工艺降低了热阻，最高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。
全新的IGBT非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复(soft-recovery)二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用，意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。
意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。
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北极星储能网获悉，9月14日，河南郑州航空港发展和统计局公开征求《郑州航空港经济综合实验区关于促进锂电新能源产业发展的若干措施（征求意见稿）》意见。文件指出，针对锂离子电池、固态电池等薄弱或缺失领域及储能电池绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金氧半场效晶体管（MOSFET）、数字信号处理（DSP）
8月7日，中国中车在互动平台表示，公司已根据自身产业基础、技术优势和市场需求布局氢能相关产业链环节，并与相关高校和科研院所开展了一系列产学研一体化合作。在氢燃料电池领域，公司下属子公司自2017年起开始研发轨道交通用大功率燃料电池系统和电堆，拥有额定功率50-350kW燃料电池系统、100/200kW
创新技术突破将提高芯片生产能力，并提供结构更为复杂的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。日立能源应用于IGBT功率半导体器件的300毫米晶圆日前，日立能源成功推出300毫米（mm）晶圆，在功率半导体领域实现了重要的技术突破。这一创新成果不仅提升了芯片的生产能力，并实现结构更加复杂的1200VIGBT，该半
一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiCMOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiCMOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级
在构建以新能源为主体的新型电力系统的逐步推进下，数智化与减碳化两大趋势的交集出现了芯片新的应用突破口，光伏储能作为近些年增速最快的可再生能源细分领域，为半导体产业带来了新的机遇和挑战。芯片的“新”战场2023年上半年，中国的新能源市场迎来历史性时刻：全国可再生能源装机突破13亿千瓦，达
北极星储能网获悉，9月19日，核工业第八研究所-IGBT功率组件（储能变流器）和飞轮储能系统询价采购。要求IGBT的参数为：1）额定功率：不小于200kW。2）效率：在额定运行条件下，储能变流器的整流效率和逆变效率均应不低于97%。3）损耗：储能变流器的待机损耗应不超过额定功率的0.3%，空载损耗应不超过
云山苍苍，碧水泱泱。一条长约13.6千米的输电通道横贯富春江东西两岸，连通杭州亚运会富阳、萧山两大保电主战区。这是我国首个220千伏柔性低频输电工程，也是当前国际上电压等级最高、输送容量最大的柔性低频输电工程。9月10日下午，记者前往220千伏亭山低频换流站，探访这项全球最先进的低频输电工程
北极星储能网获悉，9月6日，中国电气装备集团储能IGBT集采开标共有5家企业成为成交商分别是北京锐讯驰电子技术有限公司、青岛云集控制技术有限公司、杭州中格芯电子科技有限公司、南瑞联研半导体有限责任公司、赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司。在储能IGBT集采中，标包1、标包4未公布成交人，标包1
北极星储能网获悉，7月28日，中国电气装备集团发布储能电池、及储能IGBT集中采购公告，其中储能电池pack需求共4.3GWh，包括许继集团3.5GWh、平高集团0.8GWh；电池舱需求合计1.3GWh，中国西电0.1GWh、平高0.2GWh、山东电工1GWh。储能IGBT方面需求来自许继电力电子，共设置7个标包，分别采购来自英飞凌、
北极星氢能网获悉，近日，由中车株洲所旗下时代电气研制的4套大功率IGBT制氢电源设备，运抵内蒙古鄂尔多斯市准格尔旗，将交付三峡集团纳日松40万千瓦光伏制氢项目。据悉，制氢电源技术，是把电力变换电子装置搭配电解槽一起，将可再生能源如风电、太阳能、核能等转换成氢气。而中车时代电气研制的IGBT
5月22日,中车时代电气为三峡集团鄂尔多斯纳日松40万千瓦光伏制氢示范项目提供的首批大功率IGBT制氢电源设备顺利发货。这是继4月份完成4套PEM电解槽用IGBT全控制氢电源交付后公司按计划出厂的4套碱性电解槽用5MWIGBT制氢电源。该项目为国内首个批量应用大功率IGBT电源技术的绿电制氢项目，也是中车时代
日前，光伏发电及产业化标准推进组系统与部件工作组在无锡组织专家对国家太阳能光伏产品质量监督检验中心主持编写的国家标准《光伏组件接线盒用二极管技术要求》送审稿进行了审定，来自中国标准化研究院、中国电子技术标准化研究院、江苏省标准化研究院、江苏省光伏产业协会、无锡尚德、常州天合等企事
太阳能电池板在制造、运输、设置时以及因老化，会发生各种各样的故障。笔者将就检测这些故障的方法，介绍Chemitox（东京都大田区）在评测服务中的事例和积累的知识。本文介绍旁路二极管故障。结晶硅类电池板，是将所有的电池单元（发电元件）串联连接的。因此，只要有一枚电池单元因故障不发电，就会影
三菱电机将于2014年11月28日开始销售用于太阳能发电系统逆变器的智能功率半导体模块“PV用大型混合SiCDIPIPM（双列直插型智能功率模块）”。该模块采用碳化硅（SiC）二极管，型号为“PSH50YA2A6”。该产品采用混合构造，即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管（SBD）、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT（利用载流子积聚效应的IGBT）构造的第七代IGBT。据介绍，新产品的功耗与三菱电机的原产品“PS61A99”相比降低了约25%，这样便可实现逆变器系统
北京时间10月7日，据诺贝尔奖官方网站消息，2014年度诺贝尔物理学奖授予来自三名来自美国和日本的科学家中村修二、赤崎勇及天野浩，以表彰他们发明 “高亮度蓝色发光二极管”。消息一出，整个LED行业内企业或是专家学者都为此感到无比光荣。世界的发明如此之多，蓝光LED凭借怎样的魅力获得诺贝尔物理学奖?就连奖项的获得者中村修二被告知获奖的消息时，也对记者表示：“这简直难以置信。”诺奖本质：给人类生活带来巨大改变2014年9月，赤崎先生在接受《产经新闻》采访时雄心勃勃地曾说：“LED的普及将改变世界。
“随着光伏发电需求的增加，光伏逆变器的销量越来越大。量产效果应该有助于降低功率半导体的成本”，日本田渊电机公司常务执行董事、统管功率电子业务的坂本幸隆这样说道。光伏逆变器是将太阳能电池板生产的电力从直流电转换成交流电（DC/AC转换）的装置。在日本，随着光伏发电固定价格收购制度的实施，以百万瓦（MW）级光伏电站为中心，光伏发电装机容量呈现“泡沫增长”景象。所需的光伏逆变器数量也随之增加，光伏发电领域形成了性能提高、同时成本降低的环境。田渊电机是日本首家在光伏逆变器中采用SiC二极管的企业。在7月3日举办的
日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛(主办：《日经电子》)上，以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲，绍了日本学术振兴会的最尖端研究开发项目的成果。登台演讲的京都大学教授木本恒畅SiC作为取代Si的功率器件备受期待，在高耐压领域尤其被看好。在600V～6000V耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(SBD)及MOSFET等SiC单极性器件满足
2014年6月16日——英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性，该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率，并且可靠运行。“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)的最新成员：SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流，是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择，因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响，并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压，因此非常适用于保护按钮、开关、电源端口，以及汽车电子、测试设备、销
中国，北京，2014年6月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)的最新成员：SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流，是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择，因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响，并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压，因此非常适
好不容易熬到IPO重启，上市路途并不顺利，今年1月23日才登陆A股创业板扬杰科技，显然还是个A股市场的“新媳妇”，虽然才过1个多月，但却挡不住意欲在广大投资者面前“讨好”一番的热情。昨日下午，该公司发布公告称，拟将推出10送10，并派发现金红利2.1元之大礼包。而《投资快报》记者发现，该公司此前不久还被市场业界认为，倚靠光伏的公司经营环境正处于“寒冬季”，业绩大存隐忧。公告称，其实际控制人、董事长兼总经理梁勤提议，以截至2014年2月28日公司总股本8240万股为基数，向全体股东每
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了新款双通道、通用型瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列，该系列针对保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏进行了优化设计。SM系列瞬态抑制二极管阵列提供五种电压选项：5V、12V、15V、24V、36V。 所有电压选项都具有极低的动态电阻，因而能够提供优于同类元件的箝位性能。 这确保了最佳的性能，从而为现代敏感电子设备提供保护。 SM系列瞬态抑制二极管阵列可以吸收超过国际标准中最高等级的重复ESD震击而不会影响性能，并可安全耗散高达
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