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半导体激光器的性能特点及发展趋势
从现今超高速光通信网络的发展趋势,可以看出在光网络不同的应用层面对激光器的需求也不尽相同,在高速相干光传输中,要求激光器具有极窄的线宽(千赫兹水平)和大范围的调谐能力,而在高速以太网中,需要激光器具备高速直调的能力;至于在基于WDM-PON 技术的高速接入网中,对可调激光器的成本控制是一个关键因素。
高速调制激光器
高速调制半导体激光器主要运用于100 Gb/s 及更高速率以太网,机房数据互连。在城域网络中,由于传输距离近,成本控制严格,因此要求半导体激光器芯片本身具备高速直接调制能力。目前直接调制DFB 半导体激光器已经可以做到40 Gb/s 以上的调制速率。但是由于增益区载流子的瞬时变化引起折射率的相应改变,导致输出的激光波长振荡,光脉冲所含光谱严重展宽,传输光脉冲色散损耗大,限制信号的传输距离。单片集成的电吸收DFB 激光器(EML)具备低成本、低功耗、小尺寸、传输距离远特点,可以用传统的DFB激光器管壳封装利于升级换代,大规模生产等优点使其已经成为10 Gb/s光城域网及40 Gb/s 干线网的首选器件。100 Gb/s 及更高速率短距离通信中EML 依然是各个通信器件厂商的首选方案。2005 年,美国Infinera 公司率先实现了10×10 Gb/s 的光传输模块,单片集成了10 个1 550 nm 波段的DFB 激光器,10 个EA 调制器及AWG 合波器。2012 年,日本NTT 公司则连续报道了两款规格相似的EML 集成芯片,分别工作于4×25 Gb/s及4×40 Gb/s 的模式,传输距离达到了40 km。在该芯片单片内集成了4个1 310 nm 波段的DFB 半导体激光器,4 个EA 调制器及多模干涉耦合(MMI)合波器。
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