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特高压混合无功补偿变电站内特快速暂态波幅频特性

2015-12-10 13:56来源:《电网技术》关键词:特高压变电站无功补偿收藏点赞

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除主频以外,分级可控高抗入口电容CR还会影响变电站内不同位置VFTO的峰值,点A、B两处的VFTO峰值与CR之间的关系如图10所示。

图10 分级可控高抗入口电容对VFTO峰值的影响

Fig. 10 Impact of CR on peak of VFTO at different position

由图10可知,点A处的VFTO峰值约为2.3 pu,基本不受CR变化的影响。点B处的VFTO峰值受CR的影响很大,与CR之间为非线性关系,当CR为0.7 nF时,VFTO峰值约为0.84 pu。随着CR的增加,VFTO峰值不断下降,降速减小,增加至9.4 nF

时,降速基本降低到零,VFTO峰值降低到0.13 pu。结果表明,可以通过增加分级可控高抗入口电容从而有效降低分级可控高抗端口的VFTO峰值。

特高压GIS内部、分级可控高抗端口VFTO幅频特性为其内部绝缘设计的主要参考因素,需要进一步分析VFTO各频率相应幅值与CR之间的关系,图11给出了CR对点A、B两处VFTO主频对应幅值的影响。

图11 分级可控高抗入口电容对主频对应幅值的影响

Fig. 11 Impact of CR on the amplitude corresponding to the dominant frequency

由图11可知,点A处VFTO的主频对应的幅值随CR增大而增大,其变化速率不断减小,在CR增大范围内其约增大0.13 pu。点B处的VFTO的主频对应的幅值随CR的增大而减小,其变化速率不断减小,在CR增大范围内其约减小0.34 pu。结果表明,提高分级可控高抗入口电容会为GIS内部绝缘设计带来一定压力,却降低了分级可控高抗本身对VFTO绝缘的要求。

原标题:特高压混合无功补偿变电站内特快速暂态波幅频特性
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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