北极星
      北极星为您找到“晶体管”相关结果639

      来源:上海证券报2016-11-23

      在直流充电桩及新能源汽车电控系统中,逆变器是实现交直流转换的关键,而逆变器中实现电流转换的核心部件是功率器件绝缘栅双极型晶体管(igbt),目前已发展到第六代trench-fs型技术工艺。

      来源:烯碳资讯2016-11-15

      我们石墨烯产业这个产业化的路径分为了四个阶段,首先从2004年起到2013年正式处在一个实验室研究的阶段,也就是它的产品多在实验室的研发阶段,研究的产品主要包括晶体管、调制器、导电管等。

      来源:智慧芽2016-11-04

      核心看点石墨烯专利技术分析专利申请趋势/技术分布/申请人信息等石墨烯相关技术应用石墨烯晶体管/半透膜/锂电池石墨烯制备主要方式机械剥离法/热解sic外延生长/氧化石墨还原法等

      来源:科技日报2016-11-04

      因此,有缺陷的石墨烯很难用于制备晶体管等高端精密产品。但如粗布破絮般不完美的石墨烯在去污环保、净化环境等方面,却蕴含着极大的潜力。

      来源:国家电网报2016-11-01

      瑞士abb中国电网项目开发经理王卫国介绍了abb公司的特高压多端直流输电及柔性直流电网的发展:abb公司通过逆导igbt概念形成的双模式绝缘栅晶体管bigt技术会进一步使得vsc换流阀达到3000安培/

      来源:烯碳资讯2016-10-31

      ibm公司已开发出了第一只石墨烯晶体管。未来,石墨烯将扮演怎样的产业角色?

      来源:分布式发电与微电网2016-10-21

      、dc/dc变换器单元和超级电容储能单元,所述连接单元通过双极隔离开关s与外部直流馈线相连接,外部接触网直流馈线首先经过双极隔离开关s,再通过直流快速断路器s1/s2与由制动电阻ro和第一绝缘栅双极型晶体管

      来源:世界科学微信2016-10-10

      仅在2014年,全美国人就扔掉160亿磅电路板、晶体管和硬盘驱动器,它们被称为电子废弃物(俗称电子垃圾),也就是说,在美国,大约每个男人、女人和孩子都会扔掉50磅电子废弃物。

      来源:中联电力2016-10-10

      160、晶体管保护对直流电源有哪些要求?电压标准是什么?直流电源过高或过低对保护有哪些影响?答:对于晶体管保护,其直流电源应稳定可*,当一次系统操作或发生各种短路故障,直流电源应不受影响。

      来源:互联网启示录2016-10-09

      物联网成为人工智能中最重要的连接环节,按照预测:类似刘慈欣《三体》中的质子一样的传感器可能遍布空气,无论是数据的收集、计算、指令发布,都变的无处不在,所有人几乎没有秘密可言,这也并非妄言,至少在过去50年以来,从晶体管的摩尔定律

      来源:一览众车2016-09-28

      5、充电集成化本着子系统小型化和多功能化的要求,以及电池可靠性和稳定性要求的提高,充电系统将和电动汽车能量管理系统集成为一个整体,集成传输晶体管、电流检测和反向放电保护等功能,无需外部组件即可实现体积更小

      来源:《科技创新与应用》2016-09-27

      图2中c表示电容,d表示二极管,s表示开关,t表示绝缘栅双极型晶体管,r表示电阻,l表示电感;t1、t2、t3、t4、t5及t6共同组成igbt的abc桥型电路。

      来源:新能量e电工2016-09-26

      2.划分单元电路一般来讲,晶体管、集成电路等是各单元电路的核心元器件。因此,我们...(2)由晶体管vt等构成的音频放大电路,其功能是对bm输出的音频信号进行放大。(3)由集成电路ic等构成的高频振荡与调制电路,其功能是产生高频载频信号并完成调频调制。

      《“中国制造2025”上海行动纲要》发布 重点发展节能环保等领域(全文)

      来源:北极星环保网2016-09-26

      自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管

      《“中国制造2025”上海行动纲要》印发

      来源:北极星电力网2016-09-26

      自主发展各系列的cpu产品,形成自主芯片开发、升级和应用的核心能力;加快推进新建12英寸生产线建设,支持16/14纳米工艺量产及10纳米先导工艺技术研发,发展嵌入式闪存、微机电系统(mems)、绝缘栅双极型晶体管

      来源:正尔科技2016-09-22

      简化等效图如(b),可看出这是用双极型晶体管与mosfet组成的达林顿结构,相当于一个由mosfet驱动的厚基区pnp晶体管。图rn为晶体管基区内的调制电阻。...下图(a)给出了一种由n沟道mosfet与双极型晶体管组合构成的igbt(为n沟道igbt)的基本机构。

      来源:ittbank2016-09-18

      官网:/14、ixys总部:美国主营:mosfet、igbt、 thyristor、scr、整流桥、二极管、dcb块、功率模块,hybrid和晶体管等。...电动汽车及充电基础设施建设运营高峰论坛国内外知名mosfet厂家如下国外:1、英飞凌(infineon)(收购了美国电源管理芯片制造商ir)总部:德国主营:汽车系统芯片、esd/emi、单片机、射频和无线控制、传感器ic、智能卡ic、晶体管二极管等

      来源:离子心2016-09-10

      由于晶体管是最基础电子元件,因此也是cnt电子技术的主攻方向。然而,由于碳纳米管的管壁厚度只有一个原子,因此它的三极管的研发之路面临诸多挑战。...长期以来,cnt晶体管的性能远远低于传统的硅和砷化镓材料三极管。近日,美国威斯康星大学麦迪逊分校的材料科学家们首次制成了性能超过硅三极管的cnt三极管。

      来源:中联电力2016-09-01

      160、电磁型继电保护和晶体管继电保护是怎样起动的?...答:在电磁型继电保护装置中,继电器线圈通电后,通过衔铁带支触点接通或断开回路来起动保护;而晶体管保护装置则是采用电流电抗变压器通电后,在其二次形成的电位变化使晶体管导通或截止来起动保护的。

      来源:新材料在线2016-08-29

      石墨烯将在散热材料,高性能计算系统(晶体管材料),透明显示材料,超级电容器,锂电,传感器,结构材料等领域取得实际突破。到2025年,石墨烯市场规模将达到21.03亿美元。

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