来源：搜狐IT2011-06-15

电池芯片采用多结技术大幅提高光电转换效率与硅基材料相比，基于iii-v族半导体多结太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。...iii-v族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换效率，因此可以采用高倍聚光技术，这意味着产生同样多的电能只需要很少的太阳电池芯片。

来源：中国电子信息产业网2011-06-14

电池芯片采用多结技术大幅提高光电转换效率与硅基材料相比，基于iii-v族半导体多结太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。...iii-v族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换效率，因此可以采用高倍聚光技术，这意味着产生同样多的电能只需要很少的太阳电池芯片。

来源：北极星电力新闻网2011-05-12

在应用中，晶体硅太阳能电池由于其温度效应和光谱响应范围窄的影响，使本来较高的光电转换效率大打折扣，发电条件苛刻。...有技术人员介绍称，该太阳能集电管外形类似太阳能热水器所采用的集热管排列，其衬底可采用普通玻璃管或者使用有机物等柔性材料，钼金属作为背电极，铜铟镓硒作为主吸收层吸收光能，表面低阻层电极主要作用为透光、导电

来源：索比太阳能2011-03-01

蓝宝石结晶炉具有可扩展的、可靠的结构，能够让公司产量迅速提升，从而批量生产成本低、面积大的蓝宝石衬底。” gt solar的结晶加工技术和全球支持资源为客户高效率、高利润的蓝宝石制造提供了便捷途径。...(纳斯达克股票代码：solr)是多晶硅生产技术、蓝宝石和硅晶体生长系统以及相关材料的全球领先供应商，服务于太阳能、led和其他专业市场。

来源：中国电子报2011-01-11

另外要加强投资引导，生产商获暴利的时代已过去，在没有掌握核心技术的情况下避免硅...一是通过非晶/微晶叠层或多结结构，提高产品效率，降低光致衰减；二是提高沉积的速度和均匀性，通过大尺寸、大面积、高速率的沉积降低生产成本；三是开发柔性衬底的硅基薄膜电池生产技术，拓展硅基薄膜电池产品应用的深度和广度

来源：互联网2010-12-27

据悉，我国芯片产业2009年产值达23亿元，芯片国产化率从29%上升到52%；具有自主知识产权的功率型硅衬底白光led芯片光效超过90lm/w；产业化功率型芯片光效达到100lm/w，通过国家863计划支持的国产芯片在示范工程中得到应用

来源：赛迪网-中国电子报2010-10-26

从目前的薄膜太阳能电池生产设备发展趋势来看，国外设备从技术上要远远领先于国内，但在硅原材料日益紧张的情况下，薄膜电池的成本优势会越来越明显。...四十五所依靠自身在湿法化学领域多年积累的经验，结合cigs薄膜电池的特殊工艺要求，已针对性地开始进行roll-to-roll柔性衬底cigs薄膜电池的硫化镉缓冲层化学沉积设备的深入研究，预计在2011年上半年将推出首台样机

来源：国际新能源网2010-10-21

太阳能电池家族主要由晶体硅电池和非晶硅电池两大类组成。与晶体硅太阳能电池相比，包括硅基薄膜太阳能电池在内的非晶硅太阳能电池具有采光面积大、生产成本低、弱光发电好等突出优势。...它系由在廉价的玻璃、不锈钢或塑料衬底上附上厚度只有几微米的感光材料制成,具有原材料丰富、无毒、无污染、低耗能、质量轻、制程少、低成本等优点,而且用材少、重量轻、外表光滑、安装方便,并具有弱光应用性强的特点

来源：互联网2010-04-28

这种技术将三个分别有效吸收红绿蓝光的非晶锗硅合金太阳能子电池重叠在一起成为一个总厚度不到1微米的三叠层太阳能电池，并镀在一卷厚0.13毫米，宽0.91米，长达1公里到2.4公里的不锈钢衬底上。

来源：互联网2009-09-03

半导体照明方面，包括衬底、外延及芯片，封装，半导体照明产品，半导体生产设备等等。 　　...随着天威新能源、天威硅业等一批重大项目的建成投产，已形成从多晶硅材料到铸锭、切片、电池片、电池组件的晶体硅电池完整产品链；四川大学自主研发的碲化镉薄膜太阳电池技术具有国际先进水平，正在进行产业化；阿波罗太阳能碲化镉

2009-07-21

硅基薄膜电池的厚度小于1微米,不足晶体硅电池厚度的1/100，大大降低了材料成本。 　　（2）生产过程能耗小，清洁环保。采用低温工艺技术，不仅可节能降耗，而且便于采用玻璃、不锈钢等廉价衬底。 　　

来源：光电新闻网2009-01-06

铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显著特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近于晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池

来源：中国新能源网2008-10-29

据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。...缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化层介面损伤，使表面复合提高，因此，工艺中，采用短时蒸发ti/pa层，在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。

来源：美国商业资讯2008-08-15

sigen的技术用于生产“绝缘硅”(soi) 半导体晶圆，以用于高性能应用。sigen通过薄膜工程来开发创新性的衬底，为其客户开辟新的应用和市场。...sigen为rec供应薄膜光电衬底样本及创新型“无切痕”晶圆设备。

来源：美国商业资讯2008-07-16

sigen的技术用于生产“绝缘硅”(soi) 半导体晶圆，以用于高性能应用。sigen通过薄膜工程来开发创新性的衬底，为其客户开辟新的应用和市场。...sigen总裁兼首席执行官 francois henley说：“我们的完整光伏样品具有增强硅属性，从而显著提高了晶圆与电池处理能力。

2004-05-19

millipede芯片采用硅微加工技术(silicon micromachining technique)，精确移动涂敷有聚合物薄膜的硅衬底，该衬底位于1024个独立寻址的20纳米读写头下部，读写头也由硅蚀刻而来

2003-11-25

否则，硅衬底将消耗信号功率。 该结构的加工是在ibm的t.j. watson中心采用标准200mm晶圆厂完成的。...首先，采用点转换(spot-conversion)技术耦合光纤及传统硅波导器件；然后，再采用基于输入波导宽度变化的技术将硅波导与光soi波导耦合。

2003-10-09

“绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术，它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层，能够减少电流干扰、降低能耗，显著提高晶体管性能。

2003-09-15

该场效应晶体管克服了使用现代硅锗技术带来的材料和工艺集成的问题，具有很高的电子迁移率。 　　而hot技术可在一片cmos晶圆上结合两层衬底，ibm表示，该技术可使芯片的性能提高40%-50%。 　　

来源：《中国电子报》2007-03-07

而半导体器件的90%以上是硅器件，它们以硅片为基础材料。硅片被称作集成电路的核心材料。直径12英寸硅单晶抛光片主要用于制作0.13微米线宽以下的先进集成电路的衬底。...未来全球对12英寸硅抛光片的需求将以两位数速度增长，预计今年市场需求将达到2000万片。 　　有研硅股负责人表示，目前，国际集成电路规模化生产已经开始采用65纳米技术，纳米尺度的