IBM开发出新型省电晶体管　速度快能耗低

德国知名工业集团西门子旗下子公司，知名逆变器制造商Kaconewenergy近日最新推出了两款用于大型光伏项目的组串型逆变器。这两款无变压器设计的逆变器被命名为blueplanet155TL3和165TL3，额定输出功率分别为155kW和165kW，均采用了碳化硅晶体管设计。Kaco声称这种晶体管可以为逆变器提供2kW/kg的超高功

记者从中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心获悉，该中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”，成功将储能材料石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹（MHz）提升至吉赫兹（GHz）领域，未来将有望

如果没有电动机，我们难以想象如何实现工业传动技术及其自动化生产工艺。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）半导体器件控制高性能的电气驱动器，通过聚合物光纤实现与所需绝缘端的连接。然而，这一解决方案对空间很敏感。浩亭为用户提供全新微型化的绝缘栅双极型晶体管控制解决方案。浩亭在德国纽伦堡自动化展

如果说到锂离子电池与计算机有什么关系，那么小编最先想到的是锂离子为计算机提供电能，如果我说现在锂离子电池可以被用作计算机高精密电路中的一个重要的电子元器件，你会感到吃惊吗?是的，小编刚开始拿到这篇文章的时候，也是不敢相信自己的眼睛。锂离子电池作为一个看上去缺少技术含量的储能设备，

近日，中国科学院微电子研究所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展。微电子所微电子器件与集成技术重点实验室在中国科学院、国家自然科学基金委和科技部的支持下，长期致力于分子电子学基本问题的研究，基于半经典的玻尔兹曼传输理论和热激发传输理论，在国际上首次提出了针对石墨烯晶

据今日出版的《自然》杂志论文，研究人员已经发现了一种制作超薄晶体管的新工艺。这个晶体管使用的是过渡金属硫属化合物(TMDs)的新材料，其薄膜厚度相当于只有3个原子的厚度。据悉，该晶体管有较好的性能，足以用于制造太阳能电池、光感器、或者半导体。据该论文首席作者之一的Saien Xie表示：我们的工

据IHSiSuppli公司预测,我国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)2012年销售额将从2011年的10.30亿美元上升到11.10亿美元,增长幅度接近8%,同比2009年的4.3亿美元同比增长158%。这主要得益于两个方面的影响:经济复苏带动工业与消费电子的需求增长,以及我国政府在节能减排等领域推出的刺激政策。从IGBT产品类别来看,IGBT模组和分立器件作为最主要的两种产品,分别占据2012年市场份额的81%和19%,同比而言,IGBT模组市场份额比2010年增加8个百分点,分立器件市场份额相对有所减少。此外,受益于绿色能源等新兴产业的发展和政府部门

新的制备工艺，能让石墨烯这个“救世主”一样的纳米材料迅速普及吗?2014年2月8日，一个由法国、美国、德国三国研究机构和大学组成的研究团队，成功实现在碳化硅晶体的边缘带状凹槽上制备石墨烯纳米带，并且保证了常温下的石墨烯超级导电特性。新的制备方法，将适用于大批量规模生产，并能够保证石墨烯纳米带的结构质量，这将使石墨烯在电子信息领域的广泛应用成为可能。新材料未来之星1956年，英特尔创始人之一戈登摩尔提出了著名的摩尔定律，认为集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一定律揭示的

3300伏、4500伏、6500伏……在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片产品的家族里，中国南车一次又一次创造了属于自己的辉煌，这一次，他们带来的是代表目前国内行业最高水平的6500伏高压IGBT芯片。近日，在中国南车株洲所举办的高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发项目鉴定会上，由该公司研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并获得权威专家的广泛认可，项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。据介绍，鉴定会聚集了我国电力

今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。IGBT技术概述IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (FS) 第一代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工

美国的研究人员相信，他们已经克服了发展硅半导体功能替代物的一个主要障碍。硅半导体在现代电子产品中无处不在，但这些设备有局限性，其中包括在高温下未能正常运作。一个有前途的替代物是由铝和氮形成氮化铝(AlN)半导体，比他的硅对应物更强更稳定，可在高温下运行，压电的，对可见光透明，可以发出可见光。生产AIN层的传统工艺运行温度高达1150℃，并对层厚控制有限。这个新的技术声称提供了一种方法来生产原子尺寸厚度的高质量的氮化铝(AlN)层，仅用其他方法温度的一半。Neeraj Nepal和美国海军研究实验室(华盛顿)的同事利用原子层外延(ALE)技术合成了AIN