来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：中国传动网2012-01-04

开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：百方网2011-12-22

开关电源一般由脉冲宽度调制(pwm)控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，两者的成本都随着输出功率的增加而增长，但两者增长速率各异。

来源：电子发烧友2011-12-22

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...由于每相输出电流减小，可以采用较小的功率mosfet和较小的电感器和电容器，这样也简化了设计。

来源：pv001光伏网2011-11-21

威世半导体是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网2011-11-15

功率和模拟器件部分也展出了很多产品,例如广泛用于工业领域的600v 5-50aigbt、用于照明/电源领域的新高压600v1-10a新产品、用于led驱动控制的pfc器件、20-100v的各类规格的低压mosfet

来源：icbuy亿芯网2011-10-13

在全碳化硅设计中配合科锐最新系列1200v碳化硅mosfet使用时，这些肖特基二极管使得高功率电子系统成为可能，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

对于额定电压只需600v/650v的输入级，则选用mosfet。...逆变器中的升压开关有两个选择：igbt或mosfet。对于需要600v以上额定开关电压的输入级，常常会采用1200vigbt快速开关，如fgl40n120and。

来源：电子元件技术2011-09-29

发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了igbt和mosfet技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。...自励逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像mosfet或igbt）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...受惠近期太阳能光伏逆变器中的igbt与mosfet两项功率元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。

来源：中国节能环保集团公司2011-09-16

太阳能光伏并网发电逆变电源系统项目采用先进的最大功率跟踪(mppt)控制技术、igbt和mosfet并联技术、单周期控制技术、并网控制技术等，具有电网侧高功率因数正弦波电流、无谐波污染供电等特点，大大提高了产品的效率及可靠性

来源：中国传动网2011-09-14

这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。...安森美半导体(onsemiconductor)推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，

来源：电子工程世界2011-09-08

这种设计让igbt的栅极可以像mosfet一样，以电压代替电流来控制开关。作为一种bjt，igbt的电流处理能力比mosfet更高。同时，igbt亦如bjt一样是一种少数载体元件。

来源：电子工程世界2011-09-08

自励逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像mosfet或igbt）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。

来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：EEWORLD2011-08-22

功率mosfet器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。...这新器件提供达70毫安(ma)的电流镜相当于所测电流的25安(a)，集成功率mosfet的逻辑电平on/off控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。

来源：环球光伏网2011-08-16

超级结晶体管（如coolmos）的引进，为进一步降低mosfet的单位面积导通电阻rds（on）带来了希望，如图3所示。

2011-08-16

ltc3108 采用一个小的升压型变压器和一个内部 mosfet 形成一个谐振振荡器，可依靠非常低的输入电压来工作。变压器的升压比为 1:100 时，该转换器能以低至 20mv 的输入电压启动。